55 MHz至15 GHz、單芯片頻率合成器提供低相位噪聲和雜散性能
為了支持航空航天和防務(wù)、無線基礎(chǔ)設(shè)施、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)鏈路、測(cè)試與測(cè)量以及衛(wèi)星終端等多種應(yīng)用，ADI公司開發(fā)了一款集成VCO的寬帶頻率合成器，提供出色的性能和靈活性。ADF5610采用小數(shù)N分頻架構(gòu)，可產(chǎn)生57 MHz至14.6 GHz頻率并實(shí)現(xiàn)單芯片頻率合成器的最低相位噪聲性能。與使用多個(gè)窄帶、GaAs VCO和PLL的替代解決方案相比，ADF5610的功耗低50%，實(shí)現(xiàn)了更小尺寸并提供更簡單的板圖設(shè)計(jì)，可降低物料清單成本并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
ADF5610采用ADI專有的SiGe BiCMOS工藝制造，提供+6 dBm的RF輸出功率、高系統(tǒng)調(diào)制帶寬和極低比特誤碼率。其VCO相位噪聲處于行業(yè)領(lǐng)先水平(10 GHz工作頻率下，100 kHz失調(diào)時(shí)為−114 dBc/Hz，100 MHz失調(diào)時(shí)為-165 dBc/Hz)以及-232 dBc/Hz的低歸一化相位噪底。采用合適的環(huán)路濾波器時(shí)，集成的PLL可實(shí)現(xiàn)快速跳頻和小于30 μs的鎖定時(shí)間。整數(shù)邊界雜散通常能夠優(yōu)于帶內(nèi)45 dBc。電平通常高于−45 dBc帶內(nèi)。
該頻率合成器可通過控制軟件和集成的SPI接口進(jìn)行編程，兼容1.8 V邏輯并具有硬件和軟件關(guān)斷模式。
ADF5610通過用于模擬、數(shù)字和電荷泵電路的+3.3 V單獨(dú)電源以及用于VCO的+5 V電源進(jìn)行偏置。IC采用7 mm x 7 mm LFCSP封裝，工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
可輕松設(shè)計(jì)，并得到ADI公司全面易用的PLL頻率合成器設(shè)計(jì)和仿真工具——ADIsim-PLL™的完全支持。利用ADIsimPLL，設(shè)計(jì)人員可以評(píng)估相位噪聲、鎖定時(shí)間、抖動(dòng)和其他參數(shù)。
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LTM8002：高效率、超低 EMI 降壓型電源 μModule
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