在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。

據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率，見下表。

SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。GaN是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料，但擁有更大的成本控制潛力。

據(jù)分析師預(yù)測，氮化鎵上硅設(shè)備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實現(xiàn)平價和同等性能，至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關(guān)。

SiC肖特基二極管在2012年的銷售額超過1億美元，是目前最暢銷的SiC或GaN設(shè)備。至2022年這一數(shù)字將增加近一倍。

到那時，SiCMOSFET銷售額預(yù)計將達到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設(shè)備類型。雖然可靠性、價格及性能相近，SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預(yù)計僅達到SiCMOSFET的一半。

雖然IHS預(yù)測SiC和GaN市場未來幾年增長強勁，但與一年前相比，這一預(yù)測已是大打折扣了。這一變化的主要原因在于，全球經(jīng)濟的低迷現(xiàn)狀使市調(diào)機構(gòu)調(diào)低了對功率組件設(shè)備的出貨量預(yù)測。SiC采用率預(yù)測也被大幅調(diào)低，因為設(shè)備價格并未如此前預(yù)測那樣快速下跌。

相比之下，業(yè)界對GaN技術(shù)的信心有所提高，越來越多公司已宣布進行GaN研發(fā)。例如Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設(shè)備JEDEC資格的公司。