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MOS管及簡單CMOS邏輯門電路原理圖

現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管 MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端為控制端，稱為“柵極”;3端通常接地，稱為“源極”;源極電壓記作Vss，1端接正電壓

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2014-05-30

CMOS MOS管電路原理圖邏輯門電路
三極管飽和及深度飽和狀態(tài)的理解和判斷！

三極管飽和問題總結(jié)：1.在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大，飽和程

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2014-12-08

三極管集電極負(fù)載電阻 BETA
最簡單實(shí)用的開關(guān)電源電路圖

一款最簡單實(shí)用的開關(guān)電源電路圖，僅用一個(gè)三極管實(shí)現(xiàn)的的簡單實(shí)用開關(guān)電源. 更多資訊請關(guān)注：21ic模擬頻道

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2012-09-04

開關(guān)電源電路圖 IC BSP IMAGE
數(shù)字頻率計(jì)的設(shè)計(jì)

數(shù)字頻率計(jì)是我們經(jīng)常會用到的實(shí)驗(yàn)儀器之一，本實(shí)驗(yàn)要使用單片機(jī)和計(jì)數(shù)電路及液晶器件來設(shè)計(jì)一個(gè)寬頻的數(shù)字頻率計(jì)。數(shù)字頻率計(jì)的實(shí)驗(yàn)電路圖(初步方案)1) 數(shù)字頻率計(jì)的計(jì)數(shù)及顯示電路：圖1數(shù)字頻率計(jì)的設(shè)計(jì)電路圖2)

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2012-08-16

閘門數(shù)字頻率計(jì) ATMEGA8 74LS393
一種改進(jìn)的H橋驅(qū)動電路

驅(qū)動一個(gè)中、小功率永磁直流電機(jī)的傳統(tǒng)方式是采用搭成H橋結(jié)構(gòu)的四支MOSFET或雙極晶體管。例如在圖 1 中，電機(jī)連接在集電極對C1、C2和C3、C4之間。由沿對角方向?qū)ǖ南鄳?yīng)晶體管對Q1與Q3，或Q2和Q4控制流經(jīng)電機(jī)的電流

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2012-04-13

驅(qū)動電路電阻器集電極 H橋驅(qū)動
A類、B類、AB類、C類、D類五種功放

1、A類功放(又稱甲類功放)A類功放輸出級中兩個(gè)(或兩組)晶體管永遠(yuǎn)處于導(dǎo)電狀態(tài)，也就是說不管有無訊號輸入它們都保持傳導(dǎo)電流，并使這兩個(gè)電流等于交流電的峰值，這時(shí)交流在最大訊號情況下流入負(fù)載。當(dāng)無訊號時(shí)，兩個(gè)

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2018-02-26

功率放大器
運(yùn)放反饋判斷方法

負(fù)反饋放大器可組合成四種類型，即：電流串聯(lián)、電流并聯(lián)、電壓串聯(lián)、電壓并聯(lián)四種負(fù)反饋類型。正負(fù)反饋的判斷正負(fù)反饋的判斷使用瞬時(shí)極性法。瞬時(shí)極性是一種假設(shè)的狀態(tài)，它假設(shè)在放大電路的輸入端引入一瞬時(shí)增加的信

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2014-12-23

放大電路并聯(lián) 運(yùn)放串聯(lián)
電路常識性概念

一.TTLTTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。1.輸出高電平Uoh和輸出低電平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.輸入高電平和輸入低電平Uih≥2.0V，Uil

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2014-05-06

電路 MDASH COM CMOS
RC電路波形詳解

電阻R和電容C串聯(lián)接入輸入信號VI，由電容C輸出信號V0，當(dāng)RC (τ)數(shù)值與輸入方波寬度tW之間滿足：τ>>tW (一般至少為10倍以上)，這種電路稱為積分電路在電容C兩端(輸出端)得到鋸齒波電壓，如圖6所示： 1) t=t

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2017-08-18

電容電阻 rc電路
OTL音頻功率放大電路設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一款OTL音頻功率放大電路，主要由前級電路和功率放大電路兩部分組成，前級電路用于音頻信號的一級放大，功率放大電路用于音頻信號的二級放大，保證信號有足夠的功率可以從揚(yáng)聲器輸出。關(guān)鍵詞：OTL功放

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2013-08-22

電路設(shè)計(jì) 功率放大電路音頻功率放大 BSP
IC 的熱特性-熱阻

摘要IC 封裝的熱特性對IC 應(yīng)用和可靠性是非常重要的參數(shù)。本文詳細(xì)描述了標(biāo)準(zhǔn)封裝的熱特性主要參數(shù)：熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數(shù)。本文就熱阻相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、物理意義及測量方式等相關(guān)問題作詳細(xì)

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2014-05-23

熱阻 ESD IC THERMAL
自激多諧振蕩器工作原理及實(shí)險(xiǎn)

一、原理與非門作為一個(gè)開關(guān)倒相器件，可用以構(gòu)成各種脈沖波形的產(chǎn)生電路。電路的基本工作原理是利用電容器的充放電，當(dāng)輸入電壓達(dá)到與非門的閾值電壓VT時(shí)，門的輸出狀態(tài)即發(fā)生變化。因此，電路輸出的脈沖波形參數(shù)直

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2010-06-03

與非門多諧振蕩器輸出波形 BSP
頻率響應(yīng)的一般概念

頻率響應(yīng)的表示方法→給出共射電路頻率特性→定性分析其特點(diǎn)及形成原因，同時(shí)介紹幾個(gè)概念( f L 、 f H 、 BW )→頻率失真。3.1.1 頻率響應(yīng)的表示方法A ˙ u (f)= A u (f)&ang;ϕ(f)A u (f) —

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2013-01-22

頻段頻率響應(yīng) 相移 MDASH
基本反相放大器

如圖所示為基本反相放大器。首先分析反相放大器的理想特性，利用理想集成運(yùn)放的條件：虛短和虛斷，即u_=u+，iB+=iB_可得出此電路的閉環(huán)增益為此電路輸入電壓與輸入電壓之間的關(guān)系為由于輸出電壓與輸入電壓的相位相反

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2012-06-14

電阻反相放大器 IC IMAGE
LED點(diǎn)陣書寫顯示屏

一、任務(wù) 設(shè)計(jì)并制作一個(gè)基于32×32點(diǎn)陣LED模塊的書寫顯示屏，其系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示。在控制器的管理下，LED點(diǎn)陣模塊顯示屏工作在人眼不易覺察的掃描微亮和人眼可見的顯示點(diǎn)亮模式下；當(dāng)光筆觸及LED點(diǎn)陣模塊表面時(shí)，

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2009-09-02

控制器顯示屏 LED點(diǎn)陣 LED點(diǎn)陣模塊