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NUCLEO 64又添新丁——NUCLEO-F410RB評測

NUCLEO64   F410RB   ST   
  • 作者:劉昆磊
  • 來源:21ic
  • [導(dǎo)讀]
  • STM32通用微控制器的出貨量2015年第二季度突破十億顆大關(guān),迄今擁有最高的ARM Cortex-M的市場份額。

(3)注冊Mbed賬戶

想要使用Mbed進(jìn)行云端開發(fā),首先要在Mbed官網(wǎng)注冊賬戶才能使用。

打開瀏覽器,輸入Mbed開發(fā)者網(wǎng)址:https://developer.mbed.org/,點擊右上角的用戶注冊按鈕進(jìn)行注冊。

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圖3-6 Mbed開發(fā)者網(wǎng)址

(4)添加Nucleo-F410RB開發(fā)板

登陸后,點擊右上角的編譯器按鈕,就可以進(jìn)入開發(fā)環(huán)境。

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圖3-7 進(jìn)入編譯開發(fā)環(huán)境

之后網(wǎng)頁會自動彈出新窗口,進(jìn)入了Mbed云端開發(fā)界面。

圖片1.png

圖3-8 Mbed云端開發(fā)界面

由于第一次進(jìn)入,沒有選擇開發(fā)板,因此需要添加你的開發(fā)板。在開發(fā)環(huán)境右上角顯示沒有設(shè)備被選擇,點擊右上角的開發(fā)板選擇按鈕,打開選擇設(shè)備窗口,這里點擊添加設(shè)備按鈕。

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圖3-9選擇設(shè)備窗口

在彈出的界面中找到我們這次測評的開發(fā)板NUCLEO-F410RB,并在彈出的頁面的右邊點添加按鈕到你的Mbed中。

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圖3-10 添加NUCLEO-F031K6開發(fā)板

再次打開選擇設(shè)備窗口,選擇開發(fā)板,點擊右上角的按鈕。

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圖3-11 選擇開發(fā)板

至此,我們的Mbed云端開發(fā)的準(zhǔn)備工作完成了。

3、Mbed開發(fā)體驗

下面帶領(lǐng)大家一起來體驗一下Mbed云端開發(fā)的方便快捷吧。這里我們實現(xiàn)一個Nucleo-F410RB引腳輸出PWM脈沖,驅(qū)動一個LED實現(xiàn)呼吸燈效果。

(1)分析發(fā)現(xiàn)Nucleo-F410RB開發(fā)板上的用戶LED接口PA5不能輸出PWM波,這里我們選擇能輸出PWM的一個引腳PA7,將它通過連接線接到用戶LED的引腳上。

 0312.png

圖3-12 呼吸燈接口原理

(2)硬件接口選擇好后,下面在Mbed中新建工程,這里選擇一個輸出PWM的工程模板來開始工作。點擊確認(rèn)按鈕新建了一個Mbed工程,在原有基礎(chǔ)上修改呼吸燈效果程序如下圖。

0313.png

圖3-13 呼吸燈程序

具體源程序如下,方便大家測試:

#include "mbed.h"

PwmOut mypwm(PWM_OUT);

int main() {

int count = 0, flag = 0;

mypwm.period_us(100);

while(1) {

mypwm.pulsewidth_us(count);

if (flag == 0)

{

count++;

if (count == 100)

{

flag = 1;

}

}

else

{

count--;

if (count == 0)

{

flag = 0;

}

}

wait_ms(20);

}

}

上面的程序還是比較簡單易懂的,寫好程序后,點擊編譯,如果沒有錯誤,Mbed通過網(wǎng)絡(luò)會自動把編譯好的bin文件下載到計算機(jī)中,如下圖。

0314.png

圖3-14 編譯生成bin文件

將編譯好的bin文件復(fù)制到NUCLEO-F031K6開發(fā)板對應(yīng)的Mbed USB存儲器中,就會將程序?qū)懭隖LASH中,并自動運行程序。

運行效果可以看下面的視頻。


圖5-29 呼吸燈效果圖

大家可以看到,使用Mbed開發(fā)的確很簡單,對于用戶來說,不用過多的了解與MCU底層相關(guān)的內(nèi)容,就可以很方便地完成所需功能。同時Mbed采用瀏覽器作為開發(fā)環(huán)境,用戶不需要單獨安裝開發(fā)環(huán)境,只需要上網(wǎng)就可以隨時隨地進(jìn)行開發(fā)。最后編譯好的bin文件可以像使用U盤一樣復(fù)制到NUCLEO-F410RB開發(fā)板對應(yīng)的存儲器就可以運行。

四、功耗測試

STM32F410微控制器的另一大特點就是能在運行和停機(jī)模式下實現(xiàn)出色的低功耗性能。該系列產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體90 nm工藝和ART加速器,具有動態(tài)功耗調(diào)整功能,能夠在運行模式和從Flash存儲器執(zhí)行時實現(xiàn)低至89 µA/MHz的電流消耗。停機(jī)模式下,功耗低至6 µA(典型值)。下面就來測試一下具體功耗。

1、測試前準(zhǔn)備

(1)測試工具

測試功耗需要用到電流表,手頭沒有專業(yè)的電流表,只有一個萬用表勝利VICTOR VC9806+ 4位半的,拿它湊合。

(2)測試方法

NUCLEO-F410RB開發(fā)板上專門為大家設(shè)計了功耗測試位置,跳線JI6接口(標(biāo)號為IDD)。這是STM32 NUCLEO開發(fā)板給用戶提供的測試目標(biāo)單片機(jī)的電流大小的接口,可以很方便的對微控制器的功耗大小進(jìn)行評估。具體設(shè)置為:當(dāng)JP6設(shè)置為ON(使用跳線帽短接),這種是默認(rèn)情況,正常為目標(biāo)單片機(jī)供電;當(dāng)JP6設(shè)置為OFF(將跳線帽去掉,在兩引腳間加入電流表),這種情況下就可以用電流表測量微控制器的電流IDD了。

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