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（深圳）2024年11月6—8日 2024第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨展覽會(huì)

  • 時(shí)間：2024-08-02 10:38:26

[導(dǎo)讀] 　　第二輪通知丨2024第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨展覽會(huì)
　　大會(huì)主題
　　“芯”材料 新領(lǐng)航
　　主辦單位
　　中國(guó)生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專業(yè)委員會(huì)
　　DT新材料
　　聯(lián)合主辦
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 　　第二輪通知丨2024第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨展覽會(huì)

　　大會(huì)主題

　　“芯”材料 新領(lǐng)航

　　主辦單位

　　中國(guó)生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專業(yè)委員會(huì)

　　DT新材料

　　聯(lián)合主辦

　　深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

　　支持單位

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

　　粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

　　香港青年科學(xué)家協(xié)會(huì)

　　香港科技大學(xué)深港協(xié)同創(chuàng)新研究院

　　協(xié)辦單位

　　清華大學(xué)(深圳)研究院第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心

　　深圳市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)會(huì)

　　深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)

　　深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院

　　粵港澳大灣區(qū)先進(jìn)電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟

　　陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

　　山東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

　　承辦單位

　　深圳市德泰中研信息科技有限公司

　　大會(huì)時(shí)間

　　2024年11月6—8日

　　大會(huì)地點(diǎn)

　　深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安)

　　摩爾定律逼近物理極限;新能源、人工智能以及低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用需求快速發(fā)展，全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)半導(dǎo)體的限制。新一代半導(dǎo)體材料，以及先進(jìn)封裝技術(shù)，已成為開(kāi)創(chuàng)行業(yè)新篇章的關(guān)鍵。

　　在此背景下，第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展，應(yīng)運(yùn)而生，通過(guò)集結(jié)全球智慧，從應(yīng)用需求出發(fā)，共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑，強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研的深度交流與緊密結(jié)合，推動(dòng)先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。

　　01 碳化硅論壇：800伏快充卷動(dòng)碳化硅風(fēng)云

　　碳化硅器件在高溫、高壓、高頻場(chǎng)景其性能遠(yuǎn)優(yōu)越于傳統(tǒng)硅基器件，此前受限于成本高企及應(yīng)用場(chǎng)景不足，未能在商業(yè)層面裂變式增長(zhǎng)。當(dāng)前，處于風(fēng)口中的800V高壓快充，恰好是碳化硅器件最合適的舞臺(tái)。未來(lái)兩年，碳化硅功率器件將在該領(lǐng)域率先爆發(fā)。

　　02 氮化鎵論壇：AI時(shí)代開(kāi)疆拓土

　　數(shù)據(jù)中心40%以上的成本都與電力、功率和冷卻相關(guān)。因其自身的物理屬性，硅功率芯片在遇到數(shù)據(jù)中心流量增加時(shí)，將遇到處理能力的瓶頸。通過(guò)將氮化鎵功率芯片與數(shù)據(jù)中心的硬件進(jìn)行整合，產(chǎn)生了一種新型的高壓直流輸電架構(gòu)，其可靠性已通過(guò)量產(chǎn)認(rèn)證，能有效提升10%以上的效率。

　　氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心中主要用于PSU電源供應(yīng)單元中，數(shù)據(jù)中心能耗管理需求大幅提高有望提升氮化鎵功率半導(dǎo)體需求。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2022-2028年全球數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率市場(chǎng)規(guī)模有望實(shí)現(xiàn)50%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。

　　03 先進(jìn)封裝論壇：搶抓AI新機(jī)遇

　　先進(jìn)封裝技術(shù)是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵途徑。伴隨著AI技術(shù)蓬勃發(fā)展，先進(jìn)封裝借此迅速擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。我國(guó)高端先進(jìn)封裝材料仍高度依賴進(jìn)口，技術(shù)突破仍是重點(diǎn)。板級(jí)封裝是先進(jìn)封裝技術(shù)中最為明確的發(fā)展方向之一，為國(guó)產(chǎn)設(shè)備提供了新的切入方向，為未來(lái)國(guó)產(chǎn)芯片突破摩爾定律奠定基礎(chǔ)。

　　參會(huì)方式

　　掃碼報(bào)名

　　聯(lián)系方式

　　聯(lián) 系 人：劉東妮

　　電 話：18038067192(微信同號(hào))

　　郵 箱：liudongni@polydt.com

　　地 址：深圳市寶安區(qū)福永街道龍王古廟工業(yè)區(qū)深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院1棟1201