近日,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲器課題組針對三維垂直型存儲器,從理論上總結(jié)了芯片速度受限的原因和偏置方法的相關(guān)影響,提出了新型的偏置方法和核心電路,相關(guān)成果以研究長文的形式發(fā)表在2018年7月的國際超大規(guī)模集成電路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, pp. 1268-1276]上。審稿人認為,該論文首次將動態(tài)仿真應(yīng)用于三維垂直型存儲器。