在電子電路設(shè)計(jì)中,MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)憑借其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于各類電路的功率控制與信號(hào)切換。當(dāng) MOS 管用于控制電阻分壓電路的關(guān)斷時(shí),有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓過沖現(xiàn)象,這不僅可能導(dǎo)致電路中其他元件的損壞,還會(huì)影響整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。深入探究 MOS 管控制電阻分壓關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)過沖的原因,對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、保障電路正常運(yùn)行具有重要意義。
通路隔離以及信號(hào)至機(jī)殼的隔離都必須高于待測器件的電阻,從而避免測量到的是開關(guān)卡特性,而不是需要測量的器件特性。吉時(shí)利707B和708B型半導(dǎo)體開關(guān)矩陣主機(jī)支持在半導(dǎo)體研究和過程控制監(jiān)控環(huán)境中使用具有經(jīng)過驗(yàn)證的