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3D NAND亟待解決的技術(shù)問題，你知道答案嗎？
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實際擴展極限，給半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。
