雙管正激電路有著較高的可靠性,這種形式的無損吸收電路對改善上下功率管的開關軌跡也有較好的效果。
本文主要介紹開關電源中的吸收緩沖電路。
0 引言電壓毛刺是高頻變換器研制和生產過程中的棘手問題,處理得不好會帶來許多的問題,諸如:功率管的耐壓必須提高,而且耐壓越高,其通態(tài)電壓越大,功耗越大,這不僅使產
摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。關鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
為了使IGBT關斷時的過電壓能得能更有效的抑制并減小IGBT的關斷損耗,通常都需給IGBT主電路設置關斷緩沖吸收電路。
由外部電壓控制的恒流吸收電路
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件,它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點,控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高,IGBT成為了大功率開關電源、變頻
摘要:介紹了輕軌車應急通風電源前級DC/DC變換器的結構和工作原理。針對變壓器次級出現(xiàn)的整流橋寄生振蕩問題,分析了振蕩產生的原因。為了抑制該振蕩,詳細分析并對比了3種RCD吸收電路的工作過程及優(yōu)缺點,并介紹了
0 引言 電壓毛刺是高頻變換器研制和生產過程中的棘手問題,處理得不好會帶來許多的問題,諸如:功率管的耐壓必須提高,而且耐壓越高,其通態(tài)電壓越大,功耗越大,這不僅使產品效率降低,而且使電路可靠性降低