如何處理

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（下）

在《如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）》中，我們討論了電流快速變化時(shí)一些負(fù)載的電容旁路要求。我們發(fā)現(xiàn)必須讓低等效串聯(lián)電感（ESL）電容器靠近負(fù)載，因?yàn)椴坏?.5 nH便可產(chǎn)生

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）

就許多中央處理器 （CPU） 而言，規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當(dāng)處理器變換工作模式的時(shí)候。例如，在 1V 的系統(tǒng)中，100 A/uS 負(fù)載瞬態(tài)可能會(huì)要

如何處理潮濕敏感性元件

涉及塑料集成電路(IC)潮濕敏感性的情況漸漸地變得越來(lái)越壞，這是由于許多工業(yè)趨勢(shì)所造成的，其中包括對(duì)用來(lái)支持關(guān)鍵通信和技術(shù)應(yīng)用的更高可靠性產(chǎn)品的不斷尋求。單單潮濕敏感性元件(MSD, moisture-sensitive device)

電路板設(shè)計(jì)中如何處理潮濕敏感性元件

ARM 處理器如何處理異常

當(dāng)異常發(fā)生時(shí)，ARM處理器盡可能完成當(dāng)前指令（除了復(fù)位異常）后，再去處理異常。并執(zhí)行如下動(dòng)作： 1. 進(jìn)入與特定的異常相應(yīng)的操作模式。 2. 將引起異常指令的下一條指令的