寬帶隙技術(shù)

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  • 寬帶隙技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 不斷演變的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)

    幾乎所有采用電氣控制、通信、電力、驅(qū)動(dòng)和傳感的技術(shù)系統(tǒng)都已實(shí)現(xiàn)了電氣化以及電氣連接。從20世紀(jì)50年代開(kāi)始，硅 (Si) 一直是這項(xiàng)技術(shù)的核心元素。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，Si已經(jīng)成為一種用途極為廣泛的半導(dǎo)體。然而，Si在高功率、高頻率、高效率、抗輻射、低噪聲和光電能力等特定領(lǐng)域的應(yīng)用卻受到了限制。第三代半導(dǎo)體，尤其是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，提供了優(yōu)于Si的性能優(yōu)勢(shì)，這也證明了有必要花費(fèi)大量時(shí)間和精力來(lái)開(kāi)發(fā)經(jīng)濟(jì)上可行的半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施和工藝。

  • 英飛凌與臺(tái)達(dá)雙強(qiáng)連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競(jìng)電源市場(chǎng)

    【2022年7月8日，德國(guó)慕尼黑訊】數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢(shì)推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類(lèi)器件具備獨(dú)特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠(chǎng)，長(zhǎng)期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強(qiáng)化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用，為終端客戶(hù)提供出色的解決方案。