在現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計與制造中,印制電路板(PCB)作為電子元器件的載體和電氣連接的橋梁,其性能直接影響著整個設(shè)備的運行效率和穩(wěn)定性。特別是在高頻、高速信號傳輸?shù)膱龊希琍CB上產(chǎn)生的射頻能量成為了一個不容忽視的問題。本文將深入探討PCB上產(chǎn)生射頻能量的主要因素,并解析其對電子設(shè)備性能的影響。
固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來了增強的控制功能和可靠性,人們對此早有認(rèn)識,但射頻功率晶體管缺少開發(fā)工具來幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢。恩智浦半導(dǎo)近日宣布推出RFE系列射頻能量系統(tǒng)解決方案。
氮化鎵(GaN)和RF(射頻)能量應(yīng)用將為工業(yè)市場帶來重大變革。我們研究了氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來將在日常生活中的射頻能量系列第4部分中研究氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。
我們“日常生活中的射頻能量”系列此前的博客文章強調(diào)了氮化鎵(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢,普遍認(rèn)為氮化鎵將對商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革影響。
隨著氮化鎵(GaN)技術(shù)的價值在商用微波和射頻(RF)市場中得到認(rèn)可,潛在的應(yīng)用比比皆是,最值得注意的可能是射頻能量領(lǐng)域,相關(guān)內(nèi)容最近在以前的博客文章中重點介紹過。
從研發(fā)到商業(yè)部署的氮化鎵(GaN)是當(dāng)今影響微波和射頻(RF)行業(yè)的單一最大的技術(shù)中斷。氮化鎵已經(jīng)在眾多射頻應(yīng)用中對系統(tǒng)性能,尺寸和重量產(chǎn)生了明顯和深遠(yuǎn)的影響,并且使傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)所無法實現(xiàn)的系統(tǒng)級解決方案成為可能,其市場潛力才剛剛開始實現(xiàn)。
硬件和軟件套件有助于加快并簡化固態(tài)射頻系統(tǒng)開發(fā),經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用,系統(tǒng)設(shè)計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢,在IMS現(xiàn)場演示測試版,2017年秋季開始向客戶供貨
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW),比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS,突破了半導(dǎo)體射頻功率放大器的極限,使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。