隨著科技的飛速發(fā)展,微電子技術已成為現(xiàn)代社會不可或缺的一部分。在這個領域中,硅穿孔技術(Through-Silicon Via, TSV)正逐漸嶄露頭角,成為連接微電子器件內部和外部世界的橋梁。本文將詳細介紹硅穿孔技術的概念、原理、應用領域以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
微電子器件(英語:Microelectronic Devices)主要是指能在芯片上實現(xiàn)的電阻、電容、晶體管,有的特殊電路也將用到電感。
韓國科學家在硅襯底上成功合成了直徑為4英寸的高質量多層石墨烯,使石墨烯在硅材料微電子應用商業(yè)化方面邁近了一步。 通過高溫碳離子注入技術,研究者們在鎳/二氧化硅/硅襯
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布于5月12日(星期二)在英國倫敦召開的2015年投資者與分析師會議將通過網絡直播會議實況。英國標準時間(BST, British Standard Ti