摘 要:為了消除由于晶體管不匹配產(chǎn)生的隨機(jī)失調(diào)對(duì)帶隙基準(zhǔn)源精度的影響,設(shè)計(jì)了一種采用斬波調(diào)制技術(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源。該方法采用對(duì)稱性O(shè)TA的結(jié)構(gòu)來(lái)減小帶隙基準(zhǔn)電壓源的系統(tǒng)失調(diào),并利用帶隙基準(zhǔn)核心電路中的與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)的電流源為OTA提供自適應(yīng)偏置,從而較小了整個(gè)電路的功耗。通過(guò)基于0.35 μm CMOS工藝并使用CadenceSpectre工具對(duì)電路進(jìn)行仿真,結(jié)果表明:斬波頻率為100 Hz時(shí),基準(zhǔn)電壓在室溫(27 ℃)的輸出為1.232 V,該帶隙基準(zhǔn)的供電電壓的范圍為1.4~3 V;在電壓為3 V時(shí),在-40~125 ℃溫度范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為24.6 ppm/℃。