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BOE(京東方)第6代新型半導(dǎo)體顯示器件生產(chǎn)線開工 加速布局元宇宙賽道
2月10日,BOE(京東方)第6代新型半導(dǎo)體顯示器件生產(chǎn)線開工活動在北京舉行,該生產(chǎn)線總投資290億元,2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,將進(jìn)一步增強(qiáng)BOE(京東方)在VR、Mini LED等高端顯示技術(shù)布局,鞏固其全球顯示產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,持續(xù)拓寬高端技術(shù)“護(hù)城河”,極大推動我國LTPO(低溫多晶氧化物)等前沿顯示技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展,加速引領(lǐng)全球VR產(chǎn)業(yè)邁入“元宇宙”時代,助力北京打造國際科技創(chuàng)新中心。作為北京市重點(diǎn)科技項(xiàng)目之一,北京市政府相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)專家、京東方科技集團(tuán)董事長陳炎順及管理層領(lǐng)導(dǎo)等出席活動。
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基于一種新型半導(dǎo)體材料的電阻式存儲器
電阻式存儲器基于一種新型半導(dǎo)體材料，此種半導(dǎo)體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式，形成狀態(tài)值“0”和“1”。
