晶體技術(shù)

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布第四代3D：50%的性能提升

正舉行的2022閃存峰會(huì)(FMS)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式發(fā)布了基于晶棧(Xtacking)3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。

通信先鋒
2022-08-03

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D閃存半導(dǎo)體晶體技術(shù)
曝長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)192層閃存直接切入232層

2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，于2017年通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式，設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。

通信先鋒
2022-06-15

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D閃存半導(dǎo)體晶體技術(shù)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)年底正式推出192層3D閃存

在NAND閃存行業(yè)，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年量產(chǎn)自研的64層閃存，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)殺進(jìn)了這個(gè)行業(yè)，自研的Xtacking晶棧技術(shù)不熟三星等五大原廠，連續(xù)推出了64層、128層產(chǎn)品之后，今年要量產(chǎn)192層閃存了。

通信先鋒
2022-05-18

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D閃存半導(dǎo)體晶體技術(shù)