氮化鎵(GaN)

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  • GaN 器件如何提高諧振轉(zhuǎn)換器效率

    隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，尤其是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體，例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。因?yàn)閷拵恫牧暇哂邢鄬?duì)寬的帶隙(與常用的硅相比)，所以寬帶隙器件可以在高電壓，高溫和高頻率下工作。寬帶隙器件可以提高能效和延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。

  • 集成氮化鎵(GaN) 功率 FET正在改變傳統(tǒng)電源方案

    作為一名電力電子工程師，有句話說(shuō)得好，沒(méi)有從電力設(shè)備爆炸中吸取的教訓(xùn)，就沒(méi)有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調(diào)試開關(guān)模式電源的經(jīng)驗(yàn)中，這似乎是正確的。通過(guò)反復(fù)試驗(yàn)和對(duì)設(shè)備故障的研究，我們可以學(xué)習(xí)如何設(shè)計(jì)可靠工作的轉(zhuǎn)換器。