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采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設計更高分辨率激光雷達系統(tǒng) 以實現(xiàn)更先進的自主式系統(tǒng)
EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)EPC2252，為設計人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級激光雷達、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機驅(qū)動器。
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張文賓加入宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)擔任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁
張先生將帶領EPC公司的大中華及東南亞區(qū)銷售團隊協(xié)助客戶采用氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及集成電路，設計領先的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
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EPC于PCIM Asia 2017與工程師進行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓撲結(jié)構(gòu)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場效應晶體管及集成電路的領先供應商，基于eGaN®FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器，而在接收端無論
