物理特性

第三代半導(dǎo)體火爆下的爛尾隱憂(yōu)及國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差

近年來(lái)，第三代半導(dǎo)體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用前景，迅速成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。這類(lèi)半導(dǎo)體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)，在電力電子、光電子和無(wú)線射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏發(fā)電等領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，成為新一代的技術(shù)核心。然而，在這一片火熱的背后，隱藏著諸多爛尾項(xiàng)目的隱憂(yōu)以及國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差。