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國(guó)產(chǎn)化疊層電容工藝的失效機(jī)理與可靠性研究
通過對(duì)國(guó)產(chǎn)運(yùn)算放大器的一項(xiàng)失效分析研究,揭示了由于工藝變更引起的疊層 MIS電容短路是導(dǎo)致器件失效的主要原因。在低電場(chǎng)條件下,電容表現(xiàn)正常,但在高電場(chǎng)條件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效應(yīng),熱電子碰撞引發(fā)的缺陷積累最終導(dǎo)致了電容的短路失效。通過 Sentaurus TCAD 仿真分析,驗(yàn)證了界面摻雜原子濃度差異對(duì)氧化層生長(zhǎng)速率的影響,并提出了相應(yīng)的工藝改進(jìn)建議,進(jìn)而提升國(guó)產(chǎn)芯片的可靠性。
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