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老化測(cè)試有助于面對(duì) SiC MOSFET 的不穩(wěn)定性
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹老化測(cè)試如何幫助評(píng)估碳化硅 MOSFET 在晶圓級(jí)的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關(guān)于 SiC 功率器件可靠性的一個(gè)主要問(wèn)題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。
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