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MOS管的米勒效應(yīng)：深入解析與影響
在半導(dǎo)體技術(shù)的廣闊領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管作為集成電路中的核心元件，其性能的穩(wěn)定性和效率直接關(guān)系到整個(gè)電路系統(tǒng)的表現(xiàn)。而MOS管的一個(gè)獨(dú)特現(xiàn)象——米勒效應(yīng)（Miller Effect），更是引起了工程師們的廣泛關(guān)注和研究。本文將深入探討MOS管的米勒效應(yīng)，解析其產(chǎn)生機(jī)制、影響以及在實(shí)際應(yīng)用中的應(yīng)對(duì)策略。
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MOS管開關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)的影響與解決方法
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降)。
