緩啟動

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  • MOSFET開關(guān)損耗分析

    摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。