逆變效率

深度分析如何提高太陽(yáng)能逆變器轉(zhuǎn)換效率

功率開關(guān)的兩個(gè)選擇是MOSFET和 IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的開關(guān)頻率下。此外，還必須始終考慮體二極管的影響：在升壓級(jí)的情況下并沒(méi)有什么問(wèn)題，因?yàn)檎９ぷ髂Ｊ较麦w二極管不導(dǎo)通。MOSFET的導(dǎo)通損耗可根據(jù)導(dǎo)通阻抗RDS(ON)來(lái)計(jì)算，對(duì)于給定的MOSFET 系列，這與有效裸片面積成比例關(guān)系。當(dāng)額定電壓從600V 變化到1200V時(shí)，MOSFET的傳導(dǎo)損耗會(huì)大大增加，因此，即使額定RDS(ON) 相當(dāng)，1200V的 MOSFET也不可用或是價(jià)格太高。