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基于GaN 肖特基二極管的大功率微波限幅技術(shù)研究
隨著高功率微波技術(shù)的發(fā)展 ,超寬帶 、高功率等強(qiáng)電磁技術(shù)對電子化設(shè)備威脅越來越大 ,使用高 功率微波摧毀電子信息裝備成為了干擾通信系統(tǒng)的重要方式 。 對高功率微波的防護(hù)主要分為前 門防護(hù)和后門防護(hù) , 限幅器作為前門防護(hù)的重要微波器件也面臨越來越高的要求 。本文首先介紹 了 GaN材料及肖特基二極管的器件特點(diǎn)和性能優(yōu)勢 , 然后論文介紹了以半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的限幅器原理及電路結(jié)構(gòu) ,并對以 GaN 肖特基二極管為基礎(chǔ)的新一代大功率微波限幅技術(shù)研究進(jìn)展進(jìn)行論述 。
