DC-DC功率轉(zhuǎn)換

英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

【2023年01月13日，德國慕尼黑訊】未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱(BSC)和雙面散熱(DSC)兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級(jí)層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護(hù)、電動(dòng)工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開辟了新的可能性。