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米爾帶您認(rèn)識“創(chuàng)新性LGA封裝核心板“
隨著市場需求的不斷變化，在單芯片上使用LGA封裝技術(shù)已經(jīng)不能滿足需求了，于是，出現(xiàn)了將多種芯片和器件通過LGA封裝在一起的模塊。比如之前給大家分享的米爾電子LGA封裝的核心板。米爾LGA封裝核心板目前米爾電子基于多款MCU/MPU做了LGA封裝的核心板：
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TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積
