業(yè)內(nèi)消息,上周國(guó)內(nèi)DRAM芯片廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,并成功完成了與小米、傳音等國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌機(jī)型的上機(jī)驗(yàn)證。包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片以及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
對(duì)于國(guó)產(chǎn)軟硬件,我們從未如此期盼,幸運(yùn)的是各項(xiàng)突破也是接踵而至,現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國(guó)
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
據(jù)消息人士透露,位于合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司(CXMT)正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展,它將吸引國(guó)產(chǎn)二線品牌在手機(jī)上采用。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng),專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生
12月3日消息 根據(jù)AnandTech的報(bào)道,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DR
AMD銳龍?zhí)幚砥饕呀?jīng)進(jìn)化到7nm工藝和Zen 2架構(gòu),而在人民群眾喜聞樂(lè)見(jiàn)的APU方面,要到明年的下一代“Renoir”(雷阿諾)才會(huì)跟進(jìn)。 此前的Linux驅(qū)動(dòng)補(bǔ)丁顯示,Renoir APU的圖形核
三星今天宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)界首款12G LPDDR4X手機(jī)內(nèi)存,新的移動(dòng)DRAM具有比大多數(shù)超薄筆記本電腦更高的容量,使用戶能夠充分利用下一代智能手機(jī)的性能。
近日,美光(Micron)宣布推出旗下首款單片容量12Gb(1.5GB)的LPDDR4X低電壓內(nèi)存芯片,速度為4266Mbps,即4266MHz。相較第一代LPDDR4X-4266內(nèi)存,第二代產(chǎn)品的功
內(nèi)存漲價(jià)給三星帶來(lái)了利潤(rùn)的飆升,也促使三星加快內(nèi)存產(chǎn)品的推出和量產(chǎn)?,F(xiàn)在智能手機(jī)都免不了日日充這一尷尬局面,所以手機(jī)產(chǎn)品對(duì)功耗的要求也是越來(lái)越高,三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),在性能方面和第一代相當(dāng),但功耗大降10%,整體封裝厚度減少20%,非常貼合現(xiàn)在智能手機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)。
在三星、SK海力士及美光集團(tuán)三大原廠的納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)及智能手機(jī)主流AP(應(yīng)用處理器)的搭載需求下,LPDDR4X的產(chǎn)出比重持續(xù)增加,出貨數(shù)量在第二季開(kāi)始將超越LPDDR4...