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總結(jié)開(kāi)關(guān)電源MOS的8大損耗
導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開(kāi)啟后負(fù)載電流(即漏源電流) IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。
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