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中科院微電子所在28nm RRAM存內(nèi)計算電路取得進展
物聯(lián)網(wǎng)與人工智能技術的迅猛發(fā)展對邊緣節(jié)點計算平臺的實時數(shù)據(jù)處理能力與能效提出了更高的要求，基于新型存儲器的非易失存內(nèi)計算技術可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的原位存儲與計算、最小化數(shù)據(jù)搬運帶來的功耗與延遲開銷，從而大幅提升邊緣設備的數(shù)據(jù)處理能力與效能比。然而，由于基礎單元特性的非理想因素，陣列中的寄生效應以及模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的硬件開銷，非易失存內(nèi)計算仍然面臨計算性能與能效方面的限制。圍繞上述關鍵問題，微電子所劉明院士團隊采用跨層次協(xié)同設計的方法，提出了高并行與高效能比的新型RRAM存內(nèi)計算結(jié)構。
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英飛凌攜手臺積電將RRAM技術引入至AURIX? TC4x汽車微控制器產(chǎn)品系列
【2022年12月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。
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兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專利授權協(xié)議
中國北京(2020年5月12日) - 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協(xié)議。
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Intel繼續(xù)“打磨”22nm工藝 生產(chǎn)超強壽命RRAM芯片
隨著Intel在本月開始出貨10nm工藝處理器，Intel在先進半導體工藝上將轉(zhuǎn)向14nm為主、10nm加速量產(chǎn)及推進7nm落地。除了這些工藝之外，Intel之前還有一些工廠是生產(chǎn)22nm工藝的，它們
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RAM、RRAM和DRAM三者有什么區(qū)別？
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RRAM與DRAM的區(qū)別在哪？
日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。
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看中物聯(lián)網(wǎng)市場如何搶攻40nm
你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。
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RRAM如何能讓微控制器與嵌入式內(nèi)存大變革？
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的出現(xiàn)和人類生活對智能設備永不滿足的需求正驅(qū)動著傳統(tǒng)智慧在微控制器和嵌入式內(nèi)存市場的徹底變革。隨著電子設備智能化程度的提高，軟件編碼增大，需要加快處理
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中芯國際與RRAM領軍企業(yè)Crossbar達成戰(zhàn)略合作協(xié)議
中芯國際集成電路制造有限公司，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路 晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲器(RRAM)技術領導者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與
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Crossbar新型RRAM芯片 郵票大小存儲1TB數(shù)據(jù)
位于美國加州的創(chuàng)業(yè)公司 Crossbar 今天發(fā)布了一種新型的芯片，能以郵票大小的體積存儲 1TB 的數(shù)據(jù)。這種芯片采用 RRAM 技術(可變電阻式記憶體，Resistive Random Access M
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閃存技術撞墻了？RRAM有望接下下一棒
閃存技術撞墻了，如果不這個圈子里的人可能難以體會到。去年3D X-point技術不還刷屏朋友圈嘛?今年搭載這種新技術的SSD——“Optane”系列即將出貨了。看起來似乎閃存技術的發(fā)展勢頭正猛，但圈內(nèi)人其實早已憂心忡忡，因為他們知道，閃存技術的發(fā)展已經(jīng)遇到了難以突破的瓶頸了。
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RRAM領軍者Crossbar正式進軍中國存儲市場
阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造
