SiC 器件

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  • SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應(yīng)用機會已經(jīng)出現(xiàn)

    SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應(yīng)用機會已經(jīng)出現(xiàn)，包括 xEV 和鐵路電力電子設(shè)備，具有更低的損耗和更低的冷卻要求;具有降低冷卻負荷和更高效率的新型數(shù)據(jù)中心拓撲結(jié)構(gòu);用于高效大功率電動機的變頻驅(qū)動器，可降低整體系統(tǒng)成本;更高效、靈活和可靠的網(wǎng)格應(yīng)用程序，減少系統(tǒng)占用空間;以及“更多電動航空航天”，重量、體積和冷卻系統(tǒng)的減少有助于節(jié)能。就電動汽車而言，目前大多數(shù)使用 400V 總線架構(gòu)，因此 650V SiC 器件與成熟且堅固的硅 IGBT 競爭，而 GaN 則在利潤豐厚的牽引逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器中競爭市場。

  • 進一步了解氮化鎵和碳化硅目前贏得業(yè)務(wù)的市場

    電力電子在采用 GaN 和 SiC 器件方面發(fā)生了變化。硅仍然主導著市場，但很快，這些設(shè)備的出現(xiàn)將引導技術(shù)走向新的、更高效的解決方案。Yole Développement 估計，到 2025 年來自 SiC 器件的收入將占市場的 10% 以上，而來自 GaN 器件的收入到 2025 年將超過 2% 的市場。一些主導市場的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在這個領(lǐng)域，GaN Yole Développement 擁有 Power Integrations 和 Infineon 作為參與者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等創(chuàng)新初創(chuàng)企業(yè)。