基本測(cè)試配置 圖3給出了一種基本的C-V測(cè)量配置框圖。由于C-V測(cè)量實(shí)際上是在交流頻率下進(jìn)行的,因此待測(cè)器件(DUT)的電容可以根據(jù)下列公式計(jì)算得到: CDUT = IDUT / 2πfVac,其中 IDUT是通過(guò)D
在準(zhǔn)靜態(tài)電容測(cè)量[1]中,我們通過(guò)測(cè)量電流和電荷來(lái)計(jì)算電容值。這種“斜率”方法使用簡(jiǎn)單,但是它的頻率范圍有限(1~10Hz),因而只能用于一些特殊情況下。 SMU1-力常數(shù)SMU2-測(cè)量
在探討C-V測(cè)試系統(tǒng)的配置方法之前,了解半導(dǎo)體C-V測(cè)量技術(shù)[1]的局限性是很重要的: ·電容:從
通用測(cè)試 電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù),尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外,利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類(lèi)型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析,包括雙極結(jié)型
交流阻抗技術(shù)是最常用的電容測(cè)量技術(shù)[1]。它最適合于一般的低功率門(mén)電路,也適用于大多數(shù)測(cè)試結(jié)構(gòu)和大多數(shù)探針。其優(yōu)勢(shì)在于所需的設(shè)備相對(duì)便宜,大多數(shù)電子實(shí)驗(yàn)室都可以直接找到。但是,它也有一些缺點(diǎn)
普通測(cè)試 電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體器件,尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)的參數(shù)。但是,通過(guò)C-V測(cè)量還能夠?qū)芏嗥渌?lèi)型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析,包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、
盡管很多C-V測(cè)量技術(shù)本身相對(duì)簡(jiǎn)單,但是以一種能夠確保測(cè)量質(zhì)量的方式實(shí)現(xiàn)C-V測(cè)試儀與探針臺(tái)的連接卻不是那么簡(jiǎn)單。目前探針臺(tái)使用的機(jī)械手和探針卡多種多樣,當(dāng)我們?cè)噲D在一個(gè)探針臺(tái)上同時(shí)支持I-V、C-