非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制,開發(fā)出號(hào)稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
當(dāng)高性能、低功耗以存儲(chǔ)器為中心的片上系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和云服務(wù)器相結(jié)合時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)怎樣的情形呢?
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司,中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路 晶圓代工企業(yè),與阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar,今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與
閃存技術(shù)撞墻了,如果不這個(gè)圈子里的人可能難以體會(huì)到。去年3D X-point技術(shù)不還刷屏朋友圈嘛?今年搭載這種新技術(shù)的SSD——“Optane”系列即將出貨了??雌饋硭坪蹰W存技術(shù)的發(fā)展勢(shì)頭正猛,但圈內(nèi)人其實(shí)早已憂心忡忡,因?yàn)樗麄冎?,閃存技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)遇到了難以突破的瓶頸了。
阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar公司今日宣布正式進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng),并在上海設(shè)立新的辦事處。Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示:“中國(guó)是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場(chǎng),亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造