近日,英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件,這種常溫量子材質(zhì)制造的設(shè)備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv,減少5倍,能耗降低10-30倍,而且運(yùn)行速度也是CMOS工藝的5倍。
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