如今的SSD固態(tài)硬盤(pán)里,TLC已經(jīng)遍地走,QLC也逐漸普及開(kāi)來(lái),PLC都不遠(yuǎn)了……而很多玩家念念不忘的MLC、SLC已經(jīng)基本消失,多數(shù)時(shí)候只能在企業(yè)、工控等特殊領(lǐng)域才能見(jiàn)到
NAND閃存價(jià)格越來(lái)越低,從去年初到現(xiàn)在已經(jīng)跌了7個(gè)季度了,導(dǎo)致廠商越來(lái)越重視成本,QLC閃存已經(jīng)大行其道,未來(lái)一兩年還會(huì)量產(chǎn)PLC閃存。 從閃存類(lèi)型來(lái)說(shuō),性能最好、可靠性最高的還是SLC閃存,只不過(guò)
1、一塊SSD由主控、DRAM緩存和NAND閃存三種芯片所組成,主控是SSD的大腦,SSD所做的東西全部都是它所控制的;DRAM緩存則是高速緩沖區(qū),具體作用要看主控的算法而定,有些是用來(lái)放LBA表的,
游戲玩家的電腦里要是不裝上一塊SSD呀,都不好意思跟人打招呼。很多玩家在選購(gòu)SSD的時(shí)候會(huì)糾結(jié)里面的顆粒是MLC還是TLC,但其實(shí)對(duì)數(shù)據(jù)安全影響更大的是顆粒的級(jí)別,下面我們就來(lái)聊一聊水深的顆粒。英特爾
SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊:X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到MLC(Multi-Level Ce