— 推薦產(chǎn)品 —
碳化硅器件
| TWxxxZxxxC系列 |  |
東芝推出采用有助于降低開關(guān)損耗的碳化硅（SiC）MOSFET TWxxxZxxxC系列，該系列有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能，其開通損耗降低約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%。主要應(yīng)用：開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）、電動(dòng)汽車充電站、光伏變頻器、不間斷電源（UPS）等。 |
| MG250YD2YMS3 |  |
MG250YD2YMS3為業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，該模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。主要應(yīng)用：可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備用電機(jī)控制設(shè)備、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備。 |
| TRSxxx65H系列 |  |
TRSxxx65H系列是東芝推出的最新一代用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2V低正向電壓，降低了功耗的同時(shí)提高了設(shè)備效率。主要應(yīng)用：開關(guān)電源、電動(dòng)汽車充電樁、光伏逆變器 |
智能功率IC
| 智能功率IC-TPD4163F |  |
3相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC是一種用于無(wú)刷電機(jī)的器件。無(wú)刷電機(jī)相對(duì)于傳統(tǒng)有刷電機(jī)，具有效率高、噪音低、振動(dòng)小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于家用電器和空調(diào)等工業(yè)設(shè)備中。我們提供一系列擊穿電壓為250V至600V、額定電流為0.7A至5A的產(chǎn)品，它們采用最新的高壓微SOI工藝，將IGBT內(nèi)置單片集成電路與結(jié)合了MOSFET（具有高市場(chǎng)性能）的多芯片模塊產(chǎn)品、和驅(qū)動(dòng)IC相結(jié)合，以提供與AC 100V和AC 220V系統(tǒng)輸入電壓兼容的高效電機(jī)系統(tǒng)。此外，使用小封裝即可以使用一個(gè)具有內(nèi)置驅(qū)動(dòng)IC的無(wú)刷電機(jī)。 |
| 智能功率IC-TPD4164F |
功率MOSFET
| 低壓MOSFET-XPJR6604PB |  |
東芝提供廣泛的12至300VDSS?MOSFET產(chǎn)品組合，封裝范圍包括適用于小信號(hào)應(yīng)用的超小型封裝乃至大電流應(yīng)用封裝。東芝的MOSFET提供高速、低漏源導(dǎo)通電阻特性和低尖峰型，具有優(yōu)化的緩沖電路吸收器常數(shù)。東芝的低噪聲、低開關(guān)損耗MOSFET應(yīng)用于要求高效率的服務(wù)器AC-DC開關(guān)電源和基站DC-DC轉(zhuǎn)換器。我們還提供適用于各種輕巧緊湊應(yīng)用的產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 |
