碳化硅模塊
MG250V2YMS3
東芝新推出第3代碳化硅（SiC）1700V、額定漏極電流（DC）為250A且適用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅MOSFET模塊“MG250V2YMS3”。其具有低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗特性，有助于減小設(shè)備的功率損耗以及散熱裝置的尺寸。
主要應(yīng)用：鐵路車輛的逆變器與轉(zhuǎn)換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、電機(jī)控制設(shè)備、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)設(shè)備。
MG250YD2YMS3
MG250YD2YMS3為業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，該模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。
主要應(yīng)用：可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備用電機(jī)控制設(shè)備、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備。
MG800FXF2YMS3
該產(chǎn)品為東芝1200V碳化硅MOSFET模塊，滿足工業(yè)設(shè)備對提高效率、減小尺寸的需求
主要應(yīng)用：軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、電機(jī)控制設(shè)備、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等
主推產(chǎn)品：MG400V2YMS3 | MG600Q2YMS3 | MG800FXF2YMS3
SiC肖特基勢壘二極管
TRSxxx120Hx系列
東芝第3代SiC SBD產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品。該產(chǎn)品面向太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備并能夠降低功耗。
主要應(yīng)用：光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)設(shè)備UPS的開關(guān)電源等。
TRSxxx65H系列
TRSxxx65H系列是東芝推出的最新一代用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD），可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2V低正向電壓，降低了功耗的同時(shí)提高了設(shè)備效率。
主要應(yīng)用：開關(guān)電源、電動(dòng)汽車充電樁、光伏逆變器
主推產(chǎn)品：TRS2E65H | TRS3E65H | TRS4E65H | TRS6E65H | TRS8E65H | TRS10E65H | TRS12E65H | TRS4V65H | TRS6V65H | TRS8V65H | TRS10V65H | TRS12V65H
SiC MOSFET
TWxxxZxxxC系列
東芝推出采用有助于降低開關(guān)損耗的碳化硅（SiC）MOSFET TWxxxZxxxC系列，該系列有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能，其開通損耗降低約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%。
主要應(yīng)用：開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）、電動(dòng)汽車充電站、光伏變頻器、不間斷電源（UPS）等。
650V+1200V SiC MOSFET
寬帶隙功率半導(dǎo)體充分利用東芝第二代碳化硅（SiC）器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，為高電壓產(chǎn)品帶來了極具吸引力的優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體相比，東芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高溫環(huán)境下的出色工作、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性。第三代SiC MOSFET擁有更低的功耗，支持各種高功率密度應(yīng)用，如開關(guān)電源（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、通信設(shè)備等）、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電站等。