該產(chǎn)品是愛立信3E（增強性能、能量管理和最終用戶價值）產(chǎn)品線的產(chǎn)品之一，這系列的產(chǎn)品都有動態(tài)性能優(yōu)化的能力。 BMR464采用了30.85mm×20.0mm×8.2mm的小型封裝；其輸入電壓為0.6～3.3V；在5Vin,3.3Vout半負載情況下的典型效率為97.2%；可通過PMBus進行調(diào)試和測量；可以同步和相位擴譜。其還具有在降低去耦電容情況下的非線性響應(yīng)；在電壓關(guān)斷下的輸出；過溫度保護；輸出短路和輸出過電壓保護；遠程控制；通過管腳或PMBus進行電壓設(shè)定；通過圖形用戶接口進行高級調(diào)試。

FAN5400系列備有與開關(guān)模式充電器相集成的5V，300mA升壓穩(wěn)壓器，并與充電器共用同一個電感，從而減少了外部元件數(shù)目。此外，充電器和升壓電路的開關(guān)頻率均為3MHz，最大限度地減小了外部無源元件的體積和成本。FAN5400系列采用1.96mm×1.87mm、20凸塊、0.4mm間距CSP封裝。其充電參數(shù)和運作模式可以經(jīng)由一個運作速率高達3.4Mbps的I2C接口進行編程，實現(xiàn)高靈活性。高達1.25A的最大充電電流能夠確保快速充電和高充電電壓精度(±0.5%@25℃)，從電池獲取更多“額外”能量，從而延長電池壽命。FAN5400系列適用于一般手機、智能手機、平板電腦、無線寬帶熱點、數(shù)碼相機和便攜媒體/游戲播放器中的單節(jié)或雙節(jié)鋰離子電池充電。

IR347x和IR386x SupIRBuck®系列整合了高性能磁滯COT控制器和優(yōu)化的功率MOSFET，采用薄型4mm×5mm或5mm×6mm PQFN封裝，提供0.5V、1%精度內(nèi)部參考電壓，因而具有非常低和精確的輸出電壓可編程能力。新產(chǎn)品提供了豐富的特性，包括過熱保護、熱補償過流保護、過壓和欠壓保護和預(yù)偏置啟動等。 IR347x系列支持高達27V的輸入電壓，采用4x5mm和5x6mm PQFN封裝，負載范圍（6～15A）較寬，從而能夠輕松升級以便滿足最佳價格和性能要求。IR3863和IR3865采用4x5mm PQFN封裝，針對12V輸入應(yīng)用（如窄版VDC膝上型電腦）進行了優(yōu)化，包括采用新發(fā)布的第二代Intel Core處理器系列的產(chǎn)品。

LT3748在5～100V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并驅(qū)動一個外部N溝道功率MOSFET，從而非常適用于多種工業(yè)、醫(yī)療、電信、數(shù)據(jù)通信和汽車應(yīng)用。其以邊界模式工作，這是一種可變頻率電流模式控制開關(guān)方法，在整個電壓、負載和溫度變化范圍內(nèi)可產(chǎn)生±5%的典型調(diào)節(jié)。與同類連續(xù)傳導(dǎo)模式設(shè)計相比，邊界模式還允許使用較小的變壓器。其他特性：無須光隔離器、變壓器或第三繞組來實現(xiàn)反饋；驅(qū)動外部N溝道功率MOSFET；電流模式控制；邊界模式工作；用兩個外部電阻器設(shè)定VOUT；采用現(xiàn)成有售的變壓器；可編程軟啟動；可編程欠壓閉鎖；輸出電壓溫度補償。

MAX17710是一個用于充電和保護微存儲單元的完整體系。該IC可管理不規(guī)范，如能源采伐，輸出范圍是1μW～100mW的水平裝置的來源。該器件還包括一個從源收取高達0.75V(典型值)低電池升壓穩(wěn)壓器電路。內(nèi)部穩(wěn)壓器可保護細胞過度充電。 輸出電壓提供給目標應(yīng)用程序的規(guī)管使用的3.3V，2.3V的，可選擇的電壓或1.8V高效可調(diào)低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器。輸出調(diào)節(jié)器工作，盡量減少電流流失的一個可選擇的高功率或低功率模式。內(nèi)部電壓保護防止過放電的電池。該裝置是在一個超薄可用，3mm×3mm×0.5mm的12引腳UTDFN封裝。

LMZ23610 SIMPLE SWITCHER易電源電源模塊是一款易于使用的降壓DC/DC解決方案，能夠驅(qū)動高達10A的負載。該產(chǎn)品采用一種創(chuàng)新的封裝，增強了熱性能，并允許手工或機器焊接。并可以接受6V和36V之間的輸入電壓，其高精度的輸出電壓最低可至0.8V。只需要兩個外部電阻和三個外部電容，即可完成電源解決方案。而且是一個安全可靠而功能強大的設(shè)計，它具有以下保護功能，：熱關(guān)斷、輸入欠壓鎖定、輸出過壓保護，短路保護、輸出電流限制，并允許進入預(yù)偏置輸出啟動。SYNC輸入允許在350～600kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)同步。

NCP6132A/B針對符合英特爾IMVP-7及VR12規(guī)范的CPU進行了優(yōu)化，結(jié)合了真正的差分電壓感測、差分電感DCR電流感測、輸入電壓前饋及自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)功能，為臺式機及筆記本CPU應(yīng)用提供精確的穩(wěn)壓電源。主要特性：內(nèi)集成了三個內(nèi)部MOSFET驅(qū)動器；電流模式雙緣(Dual Edge)調(diào)制技術(shù)在出現(xiàn)瞬態(tài)負載時提供極快的初始響應(yīng)；包含相位交錯特性；包含切相(phase shedding)特性；包含動態(tài)參考、精確的總和(total summing)電流放大器、帶壓降前饋注入的數(shù)模轉(zhuǎn)換器等特性(均是安森美半導(dǎo)體的專利技術(shù))，幫助提升CPU電源性能。

PV1040是針對便攜應(yīng)用設(shè)計的太陽能電池充電器，采用能夠從太陽能電池收集最大電能的最大功率點跟蹤系統(tǒng)（MPPT）創(chuàng)新技術(shù)，可連接少量的條狀太陽能電池，為便攜醫(yī)療設(shè)備、手表、計算器、無線耳機、玩具或手機進行充電。其主要特性：輸入電壓是0.3～5.5V；能效高達95%；協(xié)助系統(tǒng)級電源管理功能的關(guān)閉引腳；集成低損耗同步整流器和功率開關(guān)；熱關(guān)斷保護電路，提高系統(tǒng)整體安全。

TPS82671以僅6.7mm2的微小尺寸名符其實地成為業(yè)界最小型的集成型插件式電源解決方案，每平方毫米的電流可達90mA。該器件可在TI高度為1mm的全新MicroSiP封裝中高度整合所有外部組件，從而能夠顯著簡化智能電話等600mA便攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計工作。TPS82671工作時靜態(tài)電流非常低，僅為17μA，并能以2.3～4.8V的輸入電壓實現(xiàn)超過90%的電源效率。 6A、14.5V TPS84620可實現(xiàn)每立方英寸逾800W的電源密度，效率高達95%。該款集成型降壓解決方案可在同一器件中高度集成電感器與無源組件，而且最少只需要三個外部組件，能夠在不足200mm2的面積上實現(xiàn)完整的解決方案.

該MOSFET的電壓等級為4.5V，使許多設(shè)計者能夠在其系統(tǒng)中使用現(xiàn)有的給數(shù)字邏輯電路供電的5V電源軌，無須再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。其具有很低的導(dǎo)通電阻，以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)（FOM）。60V器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封裝。器件在制造過程中采用了一種新的硅技術(shù)，該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結(jié)構(gòu)。SiR662DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。