BMR461內(nèi)置的動(dòng)態(tài)環(huán)路補(bǔ)償技術(shù)擺脫了外接RC網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)膫鹘y(tǒng)方式。對于一些需要多個(gè)負(fù)載點(diǎn)電源的負(fù)載板來說（有些應(yīng)用需要高達(dá)30個(gè)負(fù)載點(diǎn)電源），BMR461能大大減輕電源設(shè)計(jì)者在板級電源設(shè)計(jì)和之后維護(hù)上的負(fù)擔(dān)。此外，考慮到占板面積以及傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中用在調(diào)試每個(gè)模塊環(huán)路穩(wěn)定性上的時(shí)間，BMR461是一個(gè)非常節(jié)約時(shí)間和成本的設(shè)計(jì)。

IR公司最新的PowIRstage解決方案集成了一個(gè)高性能驅(qū)動(dòng)器、帶有精度和溫度補(bǔ)償?shù)目刂坪屯�步MOSFET、片上電流檢測、報(bào)告、并提供了每個(gè)周期的過流保護(hù)，從而對出現(xiàn)電感器飽和問題時(shí)的苛刻電流條件進(jìn)行自我保護(hù)。除了故障輸出外，還具有溫度感應(yīng)、報(bào)告和過溫保護(hù)等功能。 這些PowIRstage器件采用6mm×6mm PQFN封裝，額定電流分別為40A、50A和60A，采用覆蓋模制和頂部外露選項(xiàng)，提供了靈活性，可以實(shí)現(xiàn)最佳的散熱設(shè)計(jì)。

工業(yè)設(shè)備通過擺脫散熱器或風(fēng)扇而日趨小型化，此外系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員也在不斷爭取足夠的設(shè)計(jì)裕量，以應(yīng)對輸入瞬態(tài)電壓，滿足安全標(biāo)準(zhǔn)的要求。MAX17503具有超寬輸入電壓范圍，可顯著降低熱耗、提高可靠性。 在負(fù)載變化范圍較大的應(yīng)用中，設(shè)計(jì)人員可以通過脈沖頻率調(diào)制(PFM)提高輕載下的效率。 MAX17503專為工業(yè)控制和自動(dòng)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，理想用于工業(yè)過程控制、電機(jī)控制、電網(wǎng)及樓宇自動(dòng)化應(yīng)用中的可編程邏輯控制器(PLC)、過程變量變送器(PVT)、數(shù)控機(jī)床(CNC)和分布式I/O模塊。

新器件引入了一個(gè)升壓PWM控制器和下橋臂MOSFET驅(qū)動(dòng)器的架構(gòu)，以及一個(gè)中壓LDO和全功能單片機(jī)，所有這些都集成于一個(gè)小尺寸、高密度的電源封裝中。該解決方案延續(xù)了基于模擬的控制器特有的電源轉(zhuǎn)換性能，同時(shí)更提供了近乎全數(shù)字化的電源轉(zhuǎn)換解決方案無可比擬的靈活性。

這款超低功耗的能量收集芯片與競爭產(chǎn)品相比，功能性更強(qiáng)，有助于產(chǎn)品設(shè)計(jì)小型化，節(jié)省材料成本。新產(chǎn)品內(nèi)置1.8V和3.3V穩(wěn)壓器（regulator），可直接供給輔助微控制器或無線發(fā)射器， 無需額外的元器件。最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT，Maximum Power-Point Tracking)可連續(xù)優(yōu)化能源 收集效率，用戶可選擇關(guān)閉該功能。充電電路可支持各種電池，包括鋰離子電池、鋰聚合物電池、鋰薄膜固態(tài)電池、鎳氫電池、鎳鎘電池以及超級電容器。

性能特點(diǎn)：可保護(hù)和控制多達(dá)15節(jié)鋰離子或磷酸鐵鋰離子電池，包括12V、18V、24V、36V和48V電池組；準(zhǔn)確測量電池電壓、溫度以及電池組電流，可確定剩余電量和電池健康狀態(tài)；電量平衡、 集成型模數(shù)轉(zhuǎn)換器和內(nèi)建硬件保護(hù)功能可提供最高級別的電池安全性；可將板級空間銳降30%，最大限度減少材料成本；所有3款器件的一體化通用數(shù)字接口（從18～48V或者更高），可節(jié)省大量的開發(fā)時(shí)間、工作和成本。

SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技術(shù)使用了非常高密度的設(shè)計(jì)，能夠降低導(dǎo)通電阻，而不會(huì)大幅增加?xùn)艠O電荷，從而使傳導(dǎo)損耗最小，并減少在更高功率輸出情況下 的總功率損耗。因此，SiZ340DT的低邊通道2的MOSFET在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻只有5.1mΩ和7.0mΩ。高邊通道1的MOSFET在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為9.5mΩ和13.7mΩ。

性能特點(diǎn)：可保護(hù)和控制多達(dá)15節(jié)鋰離子或磷酸鐵鋰離子電池，包括12V、18V、24V、36V和48V電池組；準(zhǔn)確測量電池電壓、溫度以及電池組電流，可確定剩余電量和電池健康狀態(tài)；電量平衡、 集成型模數(shù)轉(zhuǎn)換器和內(nèi)建硬件保護(hù)功能可提供最高級別的電池安全性；可將板級空間銳降30%，最大限度減少材料成本；所有3款器件的一體化通用數(shù)字接口（從18～48V或者更高），可節(jié)省大量的開發(fā)時(shí)間、工作和成本。

BMR461內(nèi)置的動(dòng)態(tài)環(huán)路補(bǔ)償技術(shù)擺脫了外接RC網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)膫鹘y(tǒng)方式。對于一些需要多個(gè)負(fù)載點(diǎn)電源的負(fù)載板來說（有些應(yīng)用需要高達(dá)30個(gè)負(fù)載點(diǎn)電源），BMR461能大大減輕電源設(shè)計(jì)者在板級電源設(shè)計(jì)和之后維護(hù)上的負(fù)擔(dān)。此外，考慮到占板面積以及傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中用在調(diào)試每個(gè)模塊環(huán)路穩(wěn)定性上的時(shí)間，BMR461是一個(gè)非常節(jié)約時(shí)間和成本的設(shè)計(jì)。

SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技術(shù)使用了非常高密度的設(shè)計(jì)，能夠降低導(dǎo)通電阻，而不會(huì)大幅增加?xùn)艠O電荷，從而使傳導(dǎo)損耗最小，并減少在更高功率輸出情況下 的總功率損耗。因此，SiZ340DT的低邊通道2的MOSFET在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻只有5.1mΩ和7.0mΩ。高邊通道1的MOSFET在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為9.5mΩ和13.7mΩ。

相比競爭對手提供的5mm×6mm封裝解決方案，該系列器件采用3mm×3mm MLP封裝，可節(jié)省電路板空間。此外，F(xiàn)DMC86xxxP系列可滿足客戶對于耗散更少功率實(shí)現(xiàn)更高能效的更低熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。 其他特性：極低RDS(ON)中壓P溝道硅技術(shù)，優(yōu)化得到較低的Qg；非常適合快速開關(guān)應(yīng)用以及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用；100%經(jīng)過UIL測試；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

NJW4119是一款具有高耐壓性能的DC/DC開關(guān)穩(wěn)壓器，寬壓輸入也是該器件的一大特點(diǎn)，輸入電壓范圍對應(yīng)從6.5～40V，所以完全可使用電池驅(qū)動(dòng)。輸出電流最大能提供2.4A，該特點(diǎn)能夠?qū)��?yīng)平板電腦所需電流，還可根據(jù)不同套件組裝規(guī)格來設(shè)定所需的電流值。

基于TO-Leadless封裝的MOSFET最高電流可達(dá)到300A，突破了現(xiàn)有分立MOSFET的電流極限180A。而且該封裝尺寸小，可以極大減小占板面積。與市面上現(xiàn)有的D2PAK 7pin比較，TO-Leadless封裝的占板面積可以減小30%。結(jié)合最新的OptiMOS硅芯片技術(shù)，TO-Leadless封裝的MOSFET可以實(shí)現(xiàn) 業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on)。比如，30V可以實(shí)現(xiàn)0.4mΩ的RDS(on)，60V的RDS(on)只有0.75mΩ。因此，在電動(dòng)叉車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)的數(shù)目可以大大減少，并且提高功率密度。

技術(shù)特性：轉(zhuǎn)換效率為72%max；取回路電壓為3.3VDC；輸出電流信號(hào)4mA；隔離電壓1000VDC；高低溫特性好；阻燃封裝，滿足UL94V-0。