[專家評審組成員]
- 顏重光高工
上海市傳感技術(shù)學(xué)會理事 - 路秋生教授
中國電源學(xué)會常務(wù)理事 - 邢巖教授
南京航空航天大學(xué)
TOP 10
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RF 無線充電發(fā)射端 IC DA4100
DA4100 RF發(fā)射集成電路極大地簡化了 WattUp 無線電源傳輸系統(tǒng)的應(yīng)用，使其變得尺寸更小且更經(jīng)濟(jì)有效。WattUp 無線電源 RF 發(fā)射 IC 集成了ARM Cortex-M0+、RF 發(fā)射器和電源管理功能，尺寸為7mmx7mm。它還具有片上 DC/DC 轉(zhuǎn)換功能和軟件，可與 Dialog SmartBond 系列高度集成、低功耗的藍(lán)牙低功耗（BLE）SoC 無縫集成。該新型IC將所需的占位空間降到最低，實(shí)現(xiàn)了超小充電發(fā)射器，并簡化了 WattUp 的無線電源發(fā)射器系統(tǒng)的采用。
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高性能八分之一磚 DC/DC PKB4313D
PKB4313D 是愛立信新型大功率 PKB-D 1/8 磚平臺推出的第一款產(chǎn)品，這款12V 輸出數(shù)字 DC/DC 轉(zhuǎn)換器模塊，可提供高達(dá) 25A 的電流輸出和 300W 功率。該產(chǎn)品兼容 DOSA 標(biāo)準(zhǔn)，1/8 磚尺寸，具有 36?75V 的輸入范圍，是 ICT（信息和通信技術(shù)）中間總線轉(zhuǎn)換的理想應(yīng)用選擇。
該高功率模塊采用愛立信的 HRR 技術(shù)，在寬輸入電壓范圍內(nèi)提供高功率轉(zhuǎn)換，同時(shí)保持低功耗。其可在高熱環(huán)境中進(jìn)行高效率的功率轉(zhuǎn)換。通過 48V 輸入和 12V 輸出，在半負(fù)載下具有超過96％的典型效率。 Shanghai Ericsson Electronics Co., Ltd. -
全新 1200V 碳化硅 MOSFET FF11MR12W1M1; FF23MR12W1M1；IMW120R045M1；IMZ120R045M1
全新 1200V 碳化硅 MOSFET FF11MR12W1M1; FF23MR12W1M1；IMW120R045M1；IMZ120R045M1MOSFET 已經(jīng)推出，同時(shí)具備高可靠性與性能優(yōu)勢。其動(dòng)態(tài)功率損耗要比 1200V 硅（Si）IGBT 低一個(gè)數(shù)量級。首批產(chǎn)品將主推光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和充電/儲電系統(tǒng)等應(yīng)用市場。 1200V SiC MOSEFT 采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅(jiān)固耐用性。這是由于其具備較低的失效率（FIT）和可承受短路的能力，可適應(yīng)不同的應(yīng)用和環(huán)境的挑戰(zhàn)。得益于 4V 的閾值電壓（Vth）和 +15V 的推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓（VGS），這些 SIC MOSFET 可以采用 IGBT 一樣的驅(qū)動(dòng)控制，在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)斷。
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數(shù)字多相控制器系列 ISL681xx 和 ISL691xx
ISL681xx 和 ISL691xx 控制器集成的高性能數(shù)字引擎，采用具有專利的綜合電流控制架構(gòu)，能夠?qū)崟r(shí)（零延遲）跟蹤每個(gè)相電流。這使器件能夠以精確的電流、電壓定位、更小電容來響應(yīng)任何負(fù)載瞬變。 主要特性：符合 PMBus 1.3 和 AVSBus 規(guī)范；Vin、Vout、輸入/輸出電流及溫度診斷故障報(bào)告的遙測功能，帶有黑匣子功能；ISL68137 和 ISL68134 包含用于自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)的 AVSBus 接口；專有的數(shù)字控制方案，及擁有專利的綜合電流控制；按相位進(jìn)行全帶寬、零延遲的電流波形數(shù)字化。
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同步降壓型 Silent Switcher® 2 LT8645S
LT8645S 的 Silent Switcher® 2 架構(gòu)采用兩個(gè)內(nèi)部輸入電容器以及內(nèi)部 BST 和 INTVCC 電容器以最大限度減小熱環(huán)路面積。結(jié)合非常良好受控的開關(guān)邊沿和一種具有整體接地平面的內(nèi)部構(gòu)造，并采用銅柱代替了接合線，LT8645S 的設(shè)計(jì)大幅度地降低了 EMI / EMC 輻射。
LT8645S 的同步整流在 2MHz 開關(guān)頻率時(shí)提供高達(dá) 94% 的效率。其 3.4V～65V 輸入電壓范圍非常適合雙電池運(yùn)輸、48V 汽車和工業(yè)應(yīng)用。內(nèi)部高效率開關(guān)可向低至 0.97V 的電壓提供高達(dá) 8A 的連續(xù)輸出電流。 -
數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬（DEPA）控制器 MCP19124/5
MCP19124/5支持各種化學(xué)電池的可配置充電算法，并擁有電池平衡和超級電容器充電功能。借助新器件，用戶可以開發(fā)和實(shí)現(xiàn)自己獨(dú)一無二的充電方法，且任意的電壓、電流、溫度或充電時(shí)間都可用作觸發(fā)因素，轉(zhuǎn)換至充電制度的新階段。 主要特性：將獨(dú)立的電壓控制回路和電流控制回路獨(dú)特的結(jié)合在了一起；可通過兩個(gè)控制回路之間的切換實(shí)現(xiàn)目標(biāo)電壓和目標(biāo)電流相互之間的動(dòng)態(tài)切換；備有全套可配置、可調(diào)整的性能參數(shù)；集成了線性穩(wěn)壓器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、8位PIC®單片機(jī)內(nèi)核、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、精密振蕩器和模擬控制回路。
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高速多通道 PLC 輸入數(shù)字隔離器 Si838x
Si838x PLC 隔離器系列產(chǎn)品具有優(yōu)異的特性組合：高速通道（高達(dá)2Mbps）、高通道集成度（每個(gè)設(shè)備最高可達(dá) 8 個(gè)通道）、雙極輸入靈活性、高抗干擾性和 2.5k VRMS 安全隔離等級。Si838x 系列產(chǎn)品為包括工業(yè) I/O 模塊、計(jì)算機(jī)數(shù)控（CNC）機(jī)器和伺服電機(jī)控制在內(nèi)的 PLC 應(yīng)用提供了特別構(gòu)建的解決方案。
通過在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中采用"菊花鏈（daisy chaining）"連接 16 個(gè) Si838x 隔離器，開發(fā)人員可以利用系統(tǒng)嵌入式處理器上的單個(gè)串行外設(shè)接口（SPI）創(chuàng)建支持多達(dá)128個(gè)通道的 PLC 設(shè)計(jì)。 -
電機(jī)控制 STSPIN32F0
STSPIN32F0 模塊在一個(gè)7mm x 7mm QFN 微型封裝內(nèi)整合微控制器和模擬芯片，提供基于微控制器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的靈活性和性能與單顆芯片的便利性、簡易性和空間利用率。對于已經(jīng)擁有自主開發(fā)的電機(jī)控制 IP 或打算使用現(xiàn)成的電機(jī)控制算法的開發(fā)人員，該解決方案同樣具有吸引力。
與其他品牌的基于微控制器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案相比，STSPIN32F0 使開發(fā)設(shè)計(jì)得到大幅簡化，功能豐富的 STM32 生態(tài)系統(tǒng)，包括軟件工具、固件庫和中間件，尤其是受歡迎的電機(jī)控制算法。 -
降壓-升壓型電池充電控制器 BQ25703A
bq25703A 和 bq25700A 支持 I2C 和 SMBus 接口，采用全新的高級電池算法，可通過最大功率點(diǎn)跟蹤技術(shù)使電池充電智能化，實(shí)現(xiàn)全功率輸出。稱為輸入電流優(yōu)化（ICO）的獨(dú)特算法可自動(dòng)檢測輸入功率的最大容量以優(yōu)化電流，同時(shí)保持系統(tǒng)和充電電流的一致性，以確保利用最大輸入功率。
主要特性：該器件的 USB 電力輸送兼容性具有 3.5～24V 的寬輸入電壓范圍；新型充電控制器支持 5～20V 的輸入就緒器件，能夠通過可編程電流調(diào)節(jié)為 USB OTG 提供可調(diào)輸出。 -
超寬電壓輸入SVG 行業(yè)專用機(jī)殼型電源 PV45-29D
該系列電源具有 150～1500VDC 超寬電壓輸入范圍，其輸入瞬時(shí)過壓能力高達(dá) 1600VDC，可大大降低 SVG 系統(tǒng)由于輸入浪涌電壓導(dǎo)致產(chǎn)品損壞的幾率；產(chǎn)品隔離耐壓高達(dá) 4000VAC，浪涌/脈沖群滿足電力4級標(biāo)準(zhǔn)，保障系統(tǒng)安全運(yùn)行。雙路 15V 穩(wěn)壓輸出，輸出之間隔離電壓高壓 4000VAC，一個(gè)電源可用于驅(qū)動(dòng)不同電位的兩組 IGBT。
與此同時(shí)，該電源可在 -40～+85℃ 環(huán)境中正常工作，滿足海拔 5000m 工作要求，并自帶輸入欠壓保護(hù)等多種保護(hù)功能，可靠性遠(yuǎn)大于自搭方案，可有效保護(hù)系統(tǒng)安全。
技術(shù)突破獎(jiǎng)
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100V 橋式功率級模塊 FDMF8811
行業(yè)首款 100V 橋式功率級模塊 FDMF8811 ，用于半橋和全橋隔離型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。該器件額定電流 25A，在一個(gè) PQFN-36 的封裝中集成了一個(gè) 120V 驅(qū)動(dòng)器 IC、一個(gè)自舉二極管和兩個(gè)高能效的功率 MOSFET。
與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811 減少 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)所需的板面積約 1/3，使工程師能夠設(shè)計(jì)更小的系統(tǒng)。FDMF8811 極其適用于云應(yīng)用如無線基站、電源模塊或任何板載、隔離型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和工業(yè)應(yīng)用如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、風(fēng)扇和暖通空調(diào)(HVAC)。 -
升降壓穩(wěn)壓器 Cool-Power® ZVS
這些新款 Cool-Power 穩(wěn)壓器整合 Vicor 高頻率零電壓開關(guān) (ZVS) 專利技術(shù)，具有業(yè)界一流的轉(zhuǎn)換效率、功率密度及性能，能夠在超過 97% 的效率下提供高達(dá) 200w 的電源。 這兩種 PI3741-0x 穩(wěn)壓器都在 21～60VDC 的大范圍輸入電壓下工作，都在高密度、高熱效 10mmx14mmx2.5mm 的系統(tǒng)級封裝 (SiP) 中高度集成了 ZVS 控制器、電源開關(guān)及支持電路。
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大功率 IEGT ST3000GXH24A
新的大功率 IEGT 沿用東芝成熟的圓餅型封裝結(jié)構(gòu)（臺面125mm），實(shí)現(xiàn)了在 4500V 額定電壓的 IGBT 器件里 6000A 關(guān)斷電流的性能。首先，由于沿用成熟的封裝和芯片技術(shù)，該器件擁有值得信賴的可靠性指標(biāo)。其次，由于器件內(nèi)部沒有綁定線（Bonding wire），可以提供短路的失效模式，方便客戶將器件直接串聯(lián)使用。再次，由于器件采用壓接型封裝，可以雙面散熱從而提供更好的熱阻性能。最后，器件采用陶瓷和厚銅板結(jié)構(gòu)，防爆能力相對于塑封器件大幅度提高。
最佳應(yīng)用獎(jiǎng)
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第五代氮化鎵場效應(yīng)晶體管 EPC204x（eGaN®FET）
EPC公司基于第五代氮化鎵 eGaN® 技術(shù)的產(chǎn)品系列，無論在性能及成本上都實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍 —— 產(chǎn)品具備更高的性能、更小型化及更低的成本優(yōu)勢。這是由于EPC的專有氮化鎵（GaN）技術(shù)進(jìn)一步降低了晶體管的導(dǎo)通電阻，這代表在在更高頻、相同的導(dǎo)通電阻下（RDSon），可以減少輸出電容（COSS），使得器件可以更小型化、減少開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)從所未有的效率！第五代氮化鎵產(chǎn)品包括 EPC2045(7mΩ、100V)、EPC2047(10mΩ、200V)及EPC2046(25mΩ、200V) eGaN®FET。EPC2045 應(yīng)用于開放式伺服器架構(gòu)以實(shí)現(xiàn) 48V 轉(zhuǎn)至負(fù)載的單級電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、USB-C 及激光雷達(dá)（LiDAR）應(yīng)用。而 EPC2046 的應(yīng)用包括無線充電。戴爾（Dell）剛剛推出了內(nèi)部采用氮化鎵（eGaN）技術(shù)的 Latitude7285 筆記本，具備無線充電功能。EPC2047 的應(yīng)用包括用于 PV 逆變器及其它高壓 DC/DC及DC/AC 轉(zhuǎn)換器。
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nanoPower boost (升壓調(diào)節(jié)器) MAX17222
MAX17222 是一款輸入電壓范圍0.4～5.5V，輸出電壓范圍 1.8～5V，輸入限流為 500mA 的升壓調(diào)節(jié)器，同時(shí)提供 95% 的峰值效率，使發(fā)熱降到最低。
在 True Shutdown™ 模式下其電流消耗只有 0.5nA，幾乎不造成任何電池消耗，從而提供最長的電池壽命并省去了外部電源開關(guān)。此外，MAX17222 還帶有內(nèi)部補(bǔ)償，只需單個(gè)配置電阻和支持滿功率輸出的小尺寸輸出濾波器。為便于使用，這款 boost 采用微小的高密度 6 焊球 WLP 封裝(0.88mm x 1.4mm)和 6 引腳標(biāo)準(zhǔn) uDFN 封裝(2mm x 2mm)。
綠色節(jié)能獎(jiǎng)
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PMIC (電源管理集成電路) MAX20310
MAX20310 支持原電池供電可穿戴及健身產(chǎn)品設(shè)計(jì)，方案尺寸大幅減小 50%，有效延長電池壽命。可穿戴產(chǎn)品的 PMIC 需要支持低至 0.7V 的輸入電壓，適用于新型高能量密度電池架構(gòu)。
MAX20310 采用創(chuàng)新的單電感多輸出(SIMO)架構(gòu)，利用單個(gè)電感集成四路電源輸出，每路電源實(shí)現(xiàn)了超低靜態(tài)電流。與傳統(tǒng)的分立式方案相比，該高度集成方案將尺寸減小了一半，靜態(tài)電流降低 40% 以上，延長電池壽命。 -
汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E
SQJQ480E 的 PowerPAK 8x8L 封裝比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58％。然而，SQJQ480E 可以同樣高效地處理相同的功率轉(zhuǎn)換、開關(guān)和電機(jī)控制任務(wù)，實(shí)測器件導(dǎo)通電阻（3mΩ）。 SQJQ480E 以Vishay SiliconixTrenchFET 硅技術(shù)為基礎(chǔ)，其每平方英寸使用數(shù)億個(gè)晶體管單元，能夠讓器件以極高效率轉(zhuǎn)換能量。SQJQ480E 具有小巧的尺寸以及在 10V 時(shí)低至 3.0mΩ 的低最大導(dǎo)通電阻，為設(shè)計(jì)人員提供了一種易于擴(kuò)展的解決方案，可以讓需要并聯(lián)器件的應(yīng)用滿足高功率需求。
優(yōu)化開發(fā)獎(jiǎng)
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DC/DC 降壓電源 TPSM84A21 & TPSM84A22
SWIFT TPSM84A21 和 TPSM84A22 DC/DC 模塊易于使用，并將功率MOSFET、隔離電感、輸入和輸出電容以及無源器件集成于薄型封裝中。
高度集成的 TPSM84A21 和 TPSM84A22 只需一個(gè)電阻即可設(shè)置電壓。對于電源精確調(diào)節(jié)的現(xiàn)場可編程門陣列電源軌等應(yīng)用，典型的 10A 模塊一般要求多達(dá) 16 個(gè)的外部電容。相比而言，由于 TPSM84A21 具備極高的 4MHz 開關(guān)頻率，并集成了 185 微法拉的輸出電容，其可提供超低的輸出波紋，無須外部電容便可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的穩(wěn)壓能力。
自主開發(fā)獎(jiǎng)
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超寬電壓輸入 SVG 行業(yè)專用機(jī)殼型電源 PV45-29D
超寬電壓輸入 SVG 行業(yè)專用機(jī)殼型電源 PV45-29D
該系列電源具有150-1500VDC 超寬電壓輸入范圍，其輸入瞬時(shí)過壓能力高達(dá) 1600VDC，可大大降低SVG系統(tǒng)由于輸入浪涌電壓導(dǎo)致產(chǎn)品損壞的幾率，產(chǎn)品隔離耐壓高達(dá) 4000VAC, 浪涌/脈沖群滿足電力 4 級標(biāo)準(zhǔn)，保障系統(tǒng)安全運(yùn)行。雙路 15V 穩(wěn)壓輸出，輸出之間隔離電壓高壓 4000VAC，一個(gè)電源可用于驅(qū)動(dòng)不同電位的兩組 IGBT，節(jié)省系統(tǒng)成本。 與此同時(shí)，該電源可在 -40～+85℃ 環(huán)境中正常工作，滿足海拔 5000m 工作要求，并自帶輸入欠壓保護(hù)、防反接保護(hù)，輸出短路、過流、過壓保護(hù)等多種保護(hù)功能，可靠性遠(yuǎn)大于自搭方案，可有效保護(hù)系統(tǒng)安全。