動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每一個(gè)比特的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處理，相比之下在DRAM上一個(gè)比特通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器(volatile memory)設(shè)備

DRAM通常以一個(gè)電容和一個(gè)晶體管為一個(gè)單元排成二維矩陣。基本的操作機(jī)制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時(shí)候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后在把晶體管打開讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象，若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為1，則BL的電壓會(huì)被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為0，則會(huì)把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經(jīng)過放大器來判別出內(nèi)部的值為0和1。寫的時(shí)候會(huì)把晶體管打開，若要寫1時(shí)則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲(chǔ)著操作電壓，若要寫0時(shí)則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒有電荷。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM)，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外，見下文)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。主存(Main memory)即電腦內(nèi)部最主要的存儲(chǔ)器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運(yùn)行與運(yùn)用。由于DRAM的性價(jià)比很高，且擴(kuò)展性也不錯(cuò)，是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產(chǎn)電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲(chǔ)器取代DDR3L。