動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(DRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在DRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設(shè)備
DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣?；镜牟僮鳈C制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后在把晶體管打開讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象，若內(nèi)部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內(nèi)部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經(jīng)過放大器來判別出內(nèi)部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒有電荷。
隨機存取存儲器(英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM)，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外，見下文)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。主存(Main memory)即電腦內(nèi)部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產(chǎn)電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
下載文檔
