東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

時間：2021-12-07 11:30:42

關鍵字：輸出電流柵極驅動封裝

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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。

TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤^[1]，便于替代東芝現(xiàn)有產品^[2]。SO6L比SDIP6更纖薄，能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性，并支持電路板背面安裝，或用于器件高度受限的新型電路設計。

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外，東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H（LF4）與TLP5705H（LF4），采用SO6L（LF4）封裝的引線成型選項。

應用

工業(yè)設備