[導(dǎo)讀]▼?點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注硬門芯思?▼本文所選電路圖為一家公司面試出的題目,這道題本身并不太難,不過卻能刷掉大部分不能勝任崗位的面試人員,大家趕緊看看吧。電路圖有兩個晶體管(transistor),一個NPN和一個PNP,連接方式下圖所示。假設(shè)此晶體管是硅(Si),并顯示0.6伏特(...
本文所選電路圖為一家公司面試出的題目,這道題本身并不太難,不過卻能刷掉大部分不能勝任崗位的面試人員,大家趕緊看看吧。
電路圖
有兩個晶體管(transistor),一個NPN和一個PNP,連接方式下圖所示。
假設(shè)此晶體管是硅(Si),并顯示0.6伏特(V)基極至發(fā)射極電壓,且兩個晶體管的?值非常高,使得基極電流幾乎為零。
分析的第一步
對于NPN基本上為零的基極電流,R1和R2的電壓在NPV的基礎(chǔ)上將 12V導(dǎo)通電壓分壓為 4V。
當(dāng)Vbe為0.6V時,NPN發(fā)射極為 3.4V,在R3中流過的電流為3.4mA。
分析的第二步
接下來的問題是,NPN發(fā)射器和R5如何共享3.4mA電流?
PNP的Vbe為0.6V,如此使得R4中的電流為0.06mA或60μA。
在PNP基極電流幾乎為零的情況下,由于NPN的?值非常高,60μA成為NPN的集電極(collector)電流,也變成NPN的發(fā)射極電流。
流過R5的電流,必須是R3的3.4mA電流和NPN發(fā)射極的0.06mA電流之間的差值。該值為3.4-0.06=3.34mA。
分析的第三步
R5上的電壓降為3.34V,當(dāng)加到R3頂端的3.4V時,將R5和PNP集電極的頂端放在 6.74V。
是不是很容易呢?沒錯,這個電路是很容易。即便如此,這個電路刷掉了許多不合格的職位候選人。
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