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[導(dǎo)讀]在這篇文章中,小編將為大家?guī)?lái)恩智浦NHS3100 NTAG智能傳感器的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

在這篇文章中,小編將為大家?guī)?lái)恩智浦NHS3100 NTAG智能傳感器的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

恩智浦NHS3100是一款適用于溫度監(jiān)控和記錄的IC。借助其嵌入式NFC接口、內(nèi)部溫度傳感器和直接電池連接,它可支持帶有最少外部組件的有效系統(tǒng)解決方案。

嵌入式Arm® Cortex®-M0+內(nèi)核為該IC用戶提供了靈活性,使他們能夠?qū)嵤┳约旱膶S媒鉀Q方案。NHS3100包含多種功能,如高達(dá)8 MHz的可選的CPU頻率以及實(shí)現(xiàn)超低功耗的各種省電模式。

用戶可以使用Cortex-M0+處理器的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)解決方案對(duì)此NHS3100進(jìn)行編程。

NHS3100 時(shí)鐘發(fā)生器單元 (CGU) 包括兩個(gè)獨(dú)立的 RC 振蕩器。 這些振蕩器是系統(tǒng)自激振蕩器 (SFRO) 和定時(shí)器自激振蕩器 (TFRO)。

SFRO 以 8 MHz 運(yùn)行,系統(tǒng)時(shí)鐘源自該頻率。 系統(tǒng)時(shí)鐘可設(shè)置為 8 MHz、4 MHz、2 MHz、1 MHz、500 kHz、250 kHz、125 kHz 或 62.5 kHz。 注意:使用較低時(shí)鐘速度時(shí),某些功能不可用。 TFRO 以 32.768 kHz 運(yùn)行,是定時(shí)器單元的時(shí)鐘源。 TFRO 不能被禁用。復(fù)位后,NHS3100 開(kāi)始以默認(rèn)的 500 kHz 系統(tǒng)時(shí)鐘頻率運(yùn)行,以最大限度地減少引導(dǎo)周期中的動(dòng)態(tài)電流消耗。SYSAHBCLKCTRL 寄存器將系統(tǒng)時(shí)鐘門控到各種外設(shè)和存儲(chǔ)器。 溫度傳感器接收固定時(shí)鐘頻率,而不管系統(tǒng)時(shí)鐘分頻器設(shè)置如何,而數(shù)字部分使用系統(tǒng)時(shí)鐘(AHB 時(shí)鐘 0)。

NHS3100 接受來(lái)自兩個(gè)不同來(lái)源的電源:來(lái)自外部電源引腳 VDDBAT 或來(lái)自內(nèi)置 NFC/RFID 整流器。 NHS3100 有一個(gè)小型自動(dòng)源選擇器,用于監(jiān)控電源輸入以及引腳 RESETN。 PSWBAT 開(kāi)關(guān)保持打開(kāi)狀態(tài),直到在引腳 RESETN 上或通過(guò) NFC 場(chǎng)發(fā)出觸發(fā)信號(hào)。 如果觸發(fā),則始終開(kāi)啟的域 VDD_ALON 本身通過(guò) PSWBAT 或 PSWNFC 開(kāi)關(guān)供電:通過(guò) VBAT,如果 VBAT > 1.72 V,或 VNFC。 當(dāng) VBAT 和 VNFC 都存在時(shí),優(yōu)先考慮 VBAT。 PMU 中的自動(dòng)電源選擇器單元根據(jù)電源決定內(nèi)部域的供電。

? 如果在 VBAT 而非 VNFC 上檢測(cè)到電壓 > 1.72 V,則 VBAT 在引腳 RESETN 上觸發(fā)或通過(guò) NFC 為內(nèi)部域供電。

? 如果在VBAT 上檢測(cè)到電壓≤ 1.72 V,并且在VNFC 上檢測(cè)到更高的電壓,則內(nèi)部域由VNFC 供電。

? 如果在 VBAT 和 VNFC 上檢測(cè)到電壓 > 1.72 V,則內(nèi)部域由 VBAT 供電。

? 可以在電源之間切換。 如果最初 VBAT 和 VNFC 都可用,則系統(tǒng)由 VBAT 供電。 如果 VBAT 變得不可用(因?yàn)樗鼜耐獠筷P(guān)閉,或被 PSWBAT/PSWNFC 電源開(kāi)關(guān)覆蓋),內(nèi)部域會(huì)立即由 VNFC 供電。 支持雙向切換。

? 用戶可以通過(guò)禁用自動(dòng)電源開(kāi)關(guān)來(lái)強(qiáng)制選擇 VBAT 輸入,從而禁用自動(dòng)源選擇器電壓比較器。

僅使用 NFC 電源(無(wú)源操作)時(shí),將一個(gè)或多個(gè) 100 nF 外部電容器與 GPIO 焊盤并聯(lián),并將該焊盤設(shè)置為驅(qū)動(dòng)至邏輯 1 的輸出。首選選擇高驅(qū)動(dòng)引腳。 幾個(gè)引腳可以并聯(lián)。 PSWNFC 和 PSWBAT 是電源開(kāi)關(guān)。 當(dāng)存在 RF 場(chǎng)時(shí),PSWNFC 將電源連接到 VDD_ALON 電源網(wǎng)絡(luò)。 當(dāng)在 RESETN 上檢測(cè)到正沿時(shí),PSWBAT 連接電池供電。 如果沒(méi)有可用的射頻功率,PMU 可以打開(kāi)這個(gè) PSWBAT 開(kāi)關(guān),從而有效地關(guān)閉設(shè)備。 將 VDDBAT 連接到電源后,PSWBAT 開(kāi)關(guān)打開(kāi),直到在 RESETN 或 RF 電源上檢測(cè)到上升沿為止。NHS3100 的每個(gè)組件都位于多個(gè)內(nèi)部電源域之一中。 這些域是 VBAT、VNFC、VDD_ALON、VDD1V2 和 VDD1V6。 域 VDD_ALON、VDD1V2 和 VDD1V6 要么上電,要么不上電,這取決于 NHS3100 的模式。

VDD_ALON 域包含掉電檢測(cè) (BOD)。 啟用此功能后,如果 VDD_ALON 電壓低于 1.8 V,它會(huì)引發(fā) BOD 中斷。 PMU 控制活動(dòng)、睡眠、深度睡眠和深度掉電模式以及流向不同內(nèi)部組件的功率流。PMU 有兩個(gè) LDO,為內(nèi)部 VDD1V2 和 VDD1V6 電壓域供電。 LDO1V2 將 1.72 V 至 3.6 V 范圍內(nèi)的電壓轉(zhuǎn)換為 1.22 V。LDO1V6 將 1.72 V 至 3.6 V 范圍內(nèi)的電壓轉(zhuǎn)換為 1.6 V。每個(gè) LDO 可以單獨(dú)啟用。 當(dāng)通過(guò) VNFC 供電時(shí),LDO 的輸入端包含一個(gè) 1.2 nF 緩沖電容器。

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