提升GaN SG HEMT性能：英飛凌推出全新EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200 V單通道門極驅(qū)動器系列產(chǎn)品

【2022 年 1 月 17日，德國慕尼黑訊】最大化減少研發(fā)和成本的投入，以及確保中壓氮化鎵(GaN)開關(guān)的穩(wěn)健和高效運(yùn)行，是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)設(shè)計的幾個核心要求。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)依照其戰(zhàn)略性設(shè)計GaN產(chǎn)品組合，不斷加強(qiáng)全系統(tǒng)解決方案，推出EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200V單通道門極驅(qū)動器IC系列產(chǎn)品。新的系列產(chǎn)品不僅提升了CoolGaN?肖特基柵(SG)HEMT的性能，同時也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。該門極驅(qū)動器系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、電信、服務(wù)器、機(jī)器人、無人機(jī)、電動工具和D類音頻放大器等領(lǐng)域。

1EDN71x6G系列產(chǎn)品具有可選上拉和下拉驅(qū)動強(qiáng)度特性，無需柵極電阻即可實(shí)現(xiàn)波形和開關(guān)速度優(yōu)化，因此可使功率級電路布局面積更小，BOM元器件數(shù)量更少。驅(qū)動能力最強(qiáng)和開關(guān)速度最快的的驅(qū)動器產(chǎn)品(1EDN7116G)適用于多并聯(lián)的半橋組合電路。驅(qū)動能力最小和開關(guān)速度最慢的驅(qū)動產(chǎn)品(1EDN7146G)可用于需求dv/dt變化緩慢的應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動或小晶片GaN(高RDS(on)、低Qg)HEMTs。不僅如此，每款產(chǎn)品都有不同的消隱時間，并與最小建議死區(qū)時間、最小脈沖寬度和傳播延遲成正比。

真差分邏輯輸入(TDI)功能不僅可消除低邊應(yīng)用中由于接地反彈電壓而造成的錯誤觸發(fā)風(fēng)險，還能讓1EDN71x6G能夠處理高邊側(cè)應(yīng)用。此外，所有系列產(chǎn)品均采用有源米勒鉗位技術(shù)，該技術(shù)有非常強(qiáng)的下拉功能，可以避免感應(yīng)開啟。這為抵抗柵極驅(qū)動器回路中的毛刺電壓提供了更強(qiáng)的魯棒性，尤其是在驅(qū)動具有高米勒比的晶體管時。

此外，1EDN71x6G提供有源自舉鉗位，以避免在死區(qū)時間時對自舉電容過度充電。這實(shí)現(xiàn)了自舉電源電壓調(diào)節(jié)，無需額外的調(diào)節(jié)電路即可對高邊側(cè)晶體管的柵極形成保護(hù)。如有需要(如在無法完全優(yōu)化PCB布局的情況下)，該產(chǎn)品系列還可提供帶有可調(diào)負(fù)關(guān)斷電源的可編程電荷泵，以此取得額外的米勒感應(yīng)導(dǎo)通抗擾度。

供貨情況

用于CoolGaN SG HEMT的1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G四款EiceDRIVER HS 200 V單通道柵極驅(qū)動器IC，現(xiàn)在可在PG-VSON-10套裝中訂購