制程持續(xù)落后，英特爾在上游設(shè)備和下游市場(chǎng)上也不占優(yōu)勢(shì)？

時(shí)間：2022-01-24 09:44:55

關(guān)鍵字：英特爾半導(dǎo)體光刻機(jī)

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，英特爾宣布向荷蘭光刻機(jī)制造商ASML預(yù)訂了一臺(tái)仍在設(shè)計(jì)中的頂級(jí)EUV光刻機(jī)，為業(yè)界首家。這臺(tái)光刻機(jī)型號(hào)為High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)EXE:5200，是業(yè)界最強(qiáng)的光刻機(jī)，此刻尚未面世。

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，英特爾宣布向荷蘭光刻機(jī)制造商ASML預(yù)訂了一臺(tái)仍在設(shè)計(jì)中的頂級(jí)EUV光刻機(jī)，為業(yè)界首家。這臺(tái)光刻機(jī)型號(hào)為High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)EXE:5200，是業(yè)界最強(qiáng)的光刻機(jī)，此刻尚未面世。

據(jù)悉，臺(tái)積電此前已經(jīng)向ASML采購(gòu)High-NA研發(fā)型EUV光刻機(jī)EXE: 5000，預(yù)計(jì)在今年內(nèi)會(huì)跟進(jìn)下單High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)。

此前，英特爾確定自己是ASML的High-NA研發(fā)型EUV光刻機(jī)EXE: 5000的第一個(gè)買家。

據(jù)ASML透露，High-NA研發(fā)型EUV光刻機(jī)EXE: 5000將在2024年前出貨，在手訂單已達(dá)5臺(tái)。量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)EXE: 5200將在2024年推出，支持客戶的后續(xù)量產(chǎn)計(jì)劃。這款光刻機(jī)瞄準(zhǔn)了2025年后晶圓制造的最新工藝節(jié)點(diǎn)，例如2nm工藝。

英特爾期望能在晶圓制造領(lǐng)域超過(guò)龍頭臺(tái)積電。與此同時(shí)，英特爾還大量采用臺(tái)積電的晶圓代工服務(wù)，預(yù)期未來(lái)幾年會(huì)成為臺(tái)積電的大客戶之一。

為了從臺(tái)積電手中奪回“全球最先進(jìn)芯片制造商”的寶座，英特爾搶先下手了，盡管阿斯麥(ASML)最新型號(hào)的光刻機(jī)還未投產(chǎn)，但英特爾已經(jīng)打錢預(yù)定了。建廠擴(kuò)產(chǎn)、被傳收購(gòu)格芯，現(xiàn)在又開始搶購(gòu)光刻機(jī)，最近，英特爾為了在芯片大戰(zhàn)中翻身，動(dòng)作頻頻。這并不意外，英特爾CEO已經(jīng)表過(guò)態(tài)了，“我們不要浪費(fèi)這場(chǎng)危機(jī)”。

報(bào)價(jià)逾3.4億美元，光刻機(jī)巨頭阿斯麥的下一代設(shè)備價(jià)格再創(chuàng)新高，較前一代價(jià)格增逾13%。

即便是天價(jià)，也不影響芯片廠商的踴躍。當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月19日，阿斯麥官網(wǎng)顯示，英特爾已經(jīng)率先訂購(gòu)了一臺(tái)，為業(yè)內(nèi)首家。

作為制造芯片的核心裝備，光刻機(jī)的先進(jìn)程度等直接決定了芯片的制程工藝。自2017年阿斯麥第一臺(tái)量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)正式推出以來(lái)，三星的7nm/5nm工藝，臺(tái)積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0.55數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。

而伴隨著芯片廠商向3nm制程工藝沖刺，對(duì)光刻機(jī)的要求也越來(lái)越高，需要依賴于阿斯麥新一代的高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī)EXE:5000系列。

此次英特爾訂購(gòu)的這臺(tái)光刻機(jī)，型號(hào)為High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)EXE:5200，將采用不同的鏡頭系統(tǒng)，NA更大，將會(huì)是業(yè)界最強(qiáng)的光刻機(jī)。阿斯麥發(fā)言人表示，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍，同時(shí)密度增加2.9倍。未來(lái)比3nm更先進(jìn)的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)。

阿斯麥方面稱，“High NA”EUV，每臺(tái)的成本約為3億美元。第一批原型將于2023年發(fā)貨，預(yù)計(jì)要到2025年才能用于批量生產(chǎn)。

其實(shí)，首個(gè)訂單花落英特爾并不意外。去年7月，在“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)”上，英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝(相當(dāng)于臺(tái)積電2nm工藝)，并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

不過(guò)，臺(tái)積電和三星也不甘示弱。此前，臺(tái)積電已經(jīng)向阿斯麥采購(gòu)了High-NA研發(fā)型EUV光刻機(jī)EXE: 5000，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)在今年內(nèi)會(huì)跟進(jìn)下單High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)。

翻身之戰(zhàn)

顯而易見，英特爾此次急于出手是為了爭(zhēng)奪最強(qiáng)芯片制造商地位。此前在7nm領(lǐng)域的爭(zhēng)奪，英特爾就不及臺(tái)積電和三星，略遜一籌。

英特爾10nm曾被認(rèn)為是臺(tái)積電7nm的同一代，英特爾7nm被認(rèn)為是臺(tái)積電5nm的同一代。早在2018年4月，當(dāng)英特爾10nm制程芯片難產(chǎn)時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)EUV工藝的7nm制程芯片。6個(gè)月后，三星也宣布量產(chǎn)7nm EUV工藝。

到了2019年，臺(tái)積電開始試產(chǎn)5nm制程芯片，同年，英特爾量產(chǎn)10nm。至于英特爾的7nm，在最新的規(guī)劃里，預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間是2022二季度。而臺(tái)積電的3nm芯片將在今年下半年量產(chǎn)。

制程持續(xù)落后，英特爾在上游設(shè)備和下游市場(chǎng)上也不占優(yōu)勢(shì)。

去年5月，三家芯片大廠曾展開一次激烈角逐。在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)成了關(guān)鍵裝備，而臺(tái)積電明顯在此前搶占了先機(jī)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，阿斯麥近年來(lái)一共量產(chǎn)了100臺(tái)左右的EUV光刻機(jī)，其中供應(yīng)給臺(tái)積電的就有70臺(tái)，占了絕大多數(shù)份額。

臺(tái)積電同時(shí)還是市場(chǎng)的絕對(duì)占據(jù)者。去年三季度，臺(tái)積電憑借148.84億美元的營(yíng)收，拿下了全球芯片代工市場(chǎng)53.1%的市場(chǎng)份額。

同樣，臺(tái)積電還手握多家大客戶。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2022年的產(chǎn)能十分搶手，AMD、蘋果、英偉達(dá)、高通等數(shù)十家客戶紛紛預(yù)先支付資金，以確保后續(xù)的生產(chǎn)能夠順利進(jìn)行。預(yù)計(jì)臺(tái)積電今年將取得1500億新臺(tái)幣的預(yù)付款(約合346億元人民幣)。

而放眼整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)，英特爾的地位也不如三星。1月19日，數(shù)據(jù)研究機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年半導(dǎo)體市場(chǎng)整體銷售額增長(zhǎng)25.1%至5835 億美元，首次突破5000億美元，其中，三星電子超越英特爾成為收入最高的芯片制造商。

在全球缺芯的大背景下，英特爾也嘗到了“落后”的苦頭。近兩年，英特爾發(fā)力不斷。

去年1月，英特爾換帥，帕特·基辛格被任命為新的CEO，他曾經(jīng)是英特爾第一任首席技術(shù)官，為英特爾工作了30年。彼時(shí)，英特爾董事長(zhǎng)Omar Ishrak表示：“現(xiàn)在是英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，正是充分發(fā)揮帕特在技術(shù)和工程方面專長(zhǎng)，進(jìn)行公司領(lǐng)導(dǎo)變動(dòng)的合適時(shí)機(jī)?！?

制程持續(xù)落后，英特爾在上游設(shè)備和下游市場(chǎng)上也不占優(yōu)勢(shì)。

建廠蓄力產(chǎn)能

在全球缺芯的大背景下，英特爾也嘗到了“落后”的苦頭。近兩年，英特爾發(fā)力不斷。