臺(tái)積電最近幾年風(fēng)頭正勁：18A 工藝將在 2025 年量產(chǎn)

現(xiàn)在針對(duì)中美問(wèn)題芯片就顯得十分尷尬,這也讓我們認(rèn)識(shí)到了芯片自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的重要性，面對(duì)西方國(guó)家的技術(shù)封鎖，我們不斷前行?，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)發(fā)展較好的芯片公司包括中芯國(guó)際以及臺(tái)積電，在芯片代工方面臺(tái)積電已經(jīng)做到了行業(yè)的龍頭地位，所以世界上有很多的企業(yè)是在和臺(tái)積電合作的，尤其是在7nm的技術(shù)上更是如此。

臺(tái)積電現(xiàn)在已經(jīng)基本壟斷了，7納米技術(shù)的芯片，如今已經(jīng)能夠和韓國(guó)的三星以及美國(guó)的英特爾公司進(jìn)行較量，現(xiàn)在臺(tái)積電在7nm技術(shù)已經(jīng)遙遙領(lǐng)先，已經(jīng)占據(jù)了70%的市場(chǎng)份額。現(xiàn)在三星已經(jīng)在7納米技術(shù)上逐漸退出了市場(chǎng)，面對(duì)臺(tái)積電技術(shù)的打壓，三星已經(jīng)沒(méi)有了退路，作為芯片方面的巨頭，尤其是現(xiàn)將啟動(dòng)2納米工藝，所以已經(jīng)逐漸拉開(kāi)了和三星之間的距離。

但是臺(tái)積電一直都被國(guó)人所詬病，雖然是國(guó)企，但是內(nèi)容是相對(duì)復(fù)雜的，因?yàn)榕_(tái)積電很多方面的技術(shù)都是國(guó)外進(jìn)口的，現(xiàn)在迫于美國(guó)的壓力，已經(jīng)終止了和華為的合作。雖然華為的市場(chǎng)也是很強(qiáng)大的，但是為了多方面的考慮和外界的原因，他們還是選擇了國(guó)外市場(chǎng)，現(xiàn)在他們推出了2nm的技術(shù)，這一點(diǎn)已經(jīng)超越了很多的西方公司。

此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺(tái)積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)2nm工藝。

英特爾不僅可能會(huì)將3nm制程工藝交給臺(tái)積電代工，同時(shí)也開(kāi)始跟臺(tái)積電討論合作開(kāi)發(fā)2nm工藝。不過(guò)這一說(shuō)法還沒(méi)有得到英特爾或者臺(tái)積電的證實(shí)，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時(shí)間也不會(huì)有官方確認(rèn)的可能。

據(jù)悉，臺(tái)積電3nm的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)2022年四季度啟動(dòng)，且首批產(chǎn)能被蘋(píng)果和英特爾均分。至于未來(lái)的2nm工藝，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計(jì)會(huì)在2025年量產(chǎn)。

近些年我國(guó)在芯片領(lǐng)域雖然發(fā)展的比較慢，但是還是取得了一些，讓外界認(rèn)可自己的成就，比如說(shuō)我國(guó)芯片制造的領(lǐng)頭羊，中芯國(guó)際，中芯國(guó)際是我國(guó)所有研究芯片生產(chǎn)技術(shù)的公司中，唯一一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)14納米芯片量產(chǎn)的公司。

在我國(guó)芯片研究領(lǐng)域還有一個(gè)比較知名的公司，那就是華虹半導(dǎo)體，但是華虹半導(dǎo)體要實(shí)現(xiàn)14納米芯片的量產(chǎn)，那也需要一段時(shí)間，所以我國(guó)在芯片生產(chǎn)上還是要向其他先進(jìn)的集團(tuán)學(xué)習(xí)，比如說(shuō)臺(tái)積電。

據(jù)了解臺(tái)積電的芯片制造工藝是目前最先進(jìn)的，他們已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)7納米芯片的生產(chǎn)。臺(tái)積電可以說(shuō)是一個(gè)比較大的芯片代工廠，像我國(guó)的華為公司，他們研制出來(lái)的很多芯片在國(guó)內(nèi)沒(méi)有辦法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，所以他們都會(huì)交給臺(tái)積電來(lái)生產(chǎn)。

目前采用了被稱為Intel 7工藝的12代酷睿CPU正在大賣中，出色的性能與同級(jí)別競(jìng)品有了相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì)，只不過(guò)Intel 7工藝采用了英特爾的10nm工藝，得益于出色的架構(gòu)設(shè)計(jì)才有了如此出色的性能。

目前AMD的CPU產(chǎn)品采用了臺(tái)積電的7nm工藝，而英特爾才剛剛上的7nm，無(wú)論是首發(fā)時(shí)間還是工藝水平，英特爾都處于落后水平，而從14nm到14nm+++++長(zhǎng)達(dá)五年的停滯時(shí)間來(lái)看，英特爾在更加先進(jìn)工藝方面出現(xiàn)了很大問(wèn)題。

雖然英特爾發(fā)布了10nm工藝的CPU，其實(shí)英特爾早在2019年就發(fā)布了第一代產(chǎn)品，我們大膽推測(cè)英特爾未來(lái)還會(huì)推出10nm++、10nm+++更多的產(chǎn)品，英特爾想要發(fā)布成熟的7nm產(chǎn)品還要不不短的時(shí)間，而對(duì)比臺(tái)積電的未來(lái)規(guī)劃，1nm已經(jīng)在計(jì)劃之中，英特爾已經(jīng)落后太多。

其實(shí)英特爾已經(jīng)多次在公開(kāi)場(chǎng)合表示，不排除使用其他公司的先進(jìn)工藝，早在幾個(gè)月前就有消息傳出，英特爾將會(huì)使用臺(tái)積電3nm工藝，并且已經(jīng)預(yù)定了一般的產(chǎn)能，如果這個(gè)消息屬實(shí)，那么下一代酷睿以及英特爾高端顯卡產(chǎn)品有很大概率使用3nm工藝。

近日英特爾與臺(tái)積電又有緋聞傳出，消息稱臺(tái)積電將會(huì)與臺(tái)積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)2nm工藝，當(dāng)然這個(gè)消息還沒(méi)有被官方確認(rèn)，考慮到臺(tái)積電3nm工藝將會(huì)在2022年底正式上線，而那個(gè)時(shí)候也是英特爾、AMD、英偉達(dá)發(fā)布全新產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，臺(tái)積電3nm產(chǎn)品預(yù)計(jì)將會(huì)被蘋(píng)果和英特爾瓜分。

在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電最近幾年風(fēng)頭正勁，不過(guò)別忘了 Intel 依然是地球上制造工藝最先進(jìn)的半導(dǎo)體公司之一，未來(lái)四年里他們要掌握五代 CPU 工藝，其中相當(dāng)于 1.8nm 節(jié)點(diǎn)的 18A 工藝將在 2025 年量產(chǎn)。

去年 3 月份， Intel 新上任的 CEO 基辛格宣布了 IDM 2.0 戰(zhàn)略，其中就包括大手筆投資新的晶圓廠， 并快速升級(jí) CPU 工藝，分別是 Intel 7 、 Intel 4 、 Intel 3 及 Intel 20A 、 Intel 18A ， 其中前面三代工藝還是基于 FinFET 晶體管的，從 Intel 4 開(kāi)始全面擁抱 EUV 光刻工藝。

20A 、 18A 工藝中的 A 代表埃米，是首個(gè)進(jìn)入埃米時(shí)代的工藝，差不多等效于其他廠商的 2nm 及 1.8nm 工藝， 而且 20A 開(kāi)始放棄 FinFET 晶體管，擁有兩項(xiàng)革命性技術(shù)， RibbonFET 就是類似三星的 GAA 環(huán)繞柵極晶體管， PoerVia 則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號(hào)傳輸。

0A 工藝在 2024 年量產(chǎn)， 2025 年則會(huì)量產(chǎn)改進(jìn)型的 18A 工藝，這次會(huì)首發(fā)下一代 EUV 光刻機(jī)， NA 數(shù)值孔徑會(huì)從現(xiàn)在的 0.33 提升到 0.55 以上。

更重要的是， Intel 的先進(jìn)工藝未來(lái)不僅是自己用，還要對(duì)外提供代工服務(wù)，要跟臺(tái)積電搶市場(chǎng)。 在今天的財(cái)報(bào)會(huì)議上， Intel CEO 基辛格提到了 18A 工藝已經(jīng)有三個(gè)客戶，而且是美國(guó)軍方主導(dǎo)的 RAMP-C 防御計(jì)劃中的，具體名單現(xiàn)在保密。

預(yù)計(jì) Intel 在 2025 年量產(chǎn) 18A 工藝的時(shí)候，臺(tái)積電也會(huì)進(jìn)入 2nm 節(jié)點(diǎn)，這也是臺(tái)積電工藝的一次重要升級(jí)，臺(tái)積電將在 2nm 節(jié)點(diǎn)推出 Nanosheet/Nanowire 的晶體管架構(gòu)并采用新的材料。