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[導(dǎo)讀]【2022 年 02 月 24 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動兩個通常用于控制馬達及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET??涉i定無線電動工具、電動自行車和自動操作機器人設(shè)備等高功率產(chǎn)品應(yīng)用項目,可提升效率并縮小體積,滿足與日俱增的市場要求。

【2022 年 02 月 24 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動兩個通常用于控制馬達及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET??涉i定無線電動工具、電動自行車和自動操作機器人設(shè)備等高功率產(chǎn)品應(yīng)用項目,可提升效率并縮小體積,滿足與日俱增的市場要求。

Diodes Incorporated 高頻 100V 額定柵極驅(qū)動器提高電源使用效率,同時節(jié)省電路板空間

DGD0579U 的 100V 浮動高側(cè)驅(qū)動器讓要求苛刻的大功率產(chǎn)品應(yīng)用項目,使用上更為靈活。較短的傳播延遲 (通常為 60ns) 與延遲匹配 (在 10ns 內(nèi)),可以提高切換速度及減少死區(qū)時間,創(chuàng)造出體積更小巧、更高效的電源系統(tǒng)。

裝置直接內(nèi)建先進的 MOSFET 保護機制,與傳統(tǒng)的獨立式解決方案相比,此舉提高了系統(tǒng)可靠性、優(yōu)化調(diào)整使用電路板空間的情況,還進一步減少了組件數(shù)量。這些機制包括防止交叉?zhèn)鲗?dǎo),可避免高側(cè)和低側(cè) MOSFET 同時導(dǎo)通;以及欠壓鎖定 (UVLO) 功能,可用于解決潛在電源損耗。

DGD0579U 具有用于電源管理的啟動接腳和超低 (<1μA) 待機電流,有助于延長電池運作時間。DGD0579U 兼容于來自微控制器和 PWM 控制器 IC 的控制訊號,支持 TTL 及 CMOS 邏輯電平輸入 (低至 3.3V)。

DGD0579U 柵極驅(qū)動器采用緊湊型 W-DFN3030-10 封裝,占地面積為 3mm x 3mm,外形高度為 0.75mm。

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