英飛凌推出全新車(chē)規(guī)級(jí)750 V EDT2 IGBT，適用于分立式牽引逆變器

【2022年3月21日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門(mén)針對(duì)分立式汽車(chē)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。得益于其出色的品質(zhì)，EDT2 IGBT符合并超越了車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統(tǒng)的性能和可靠性。該 IGBT采用汽車(chē)級(jí)微溝槽場(chǎng)中止單元設(shè)計(jì)，所用技術(shù)已成功應(yīng)用于EasyPACK? 2B EDT2和HybridPACK?等多款逆變器模塊。

為了滿足目標(biāo)應(yīng)用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產(chǎn)品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利于進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。同時(shí)，EDT2技術(shù)專門(mén)針對(duì)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，擊穿電壓為750 V，可支持高達(dá)470 VDC的電池電壓，并顯著降低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。

分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運(yùn)行時(shí)，額定電流通常為120 A或200 A，這兩款型號(hào)均具有極低的正向電壓，相比上一代產(chǎn)品，導(dǎo)通損耗降低了13%。其中，額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2，在采用TO247Plus封裝的分立式IGBT產(chǎn)品中堪稱出類(lèi)拔萃。因此，僅需少量的并聯(lián)器件，便可實(shí)現(xiàn)既定的目標(biāo)功率等級(jí)，同時(shí)還可提高功率密度，降低系統(tǒng)成本。

此外，EDT2 IGBT的參數(shù)分布非常緊湊。集電極-發(fā)射極飽和電壓(Vce(sat))的典型值與最大值之間相差不足200 mV，柵極閾值電壓(VGEth)也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度系數(shù)?？傊?，這些特性有助于輕松實(shí)現(xiàn)并聯(lián)運(yùn)行，從而提高最終設(shè)計(jì)的系統(tǒng)靈活性和功率可擴(kuò)展性。除此之外，這款I(lǐng)GBT器件還擁有平穩(wěn)的開(kāi)關(guān)特性、低柵極電荷(QG)和175°C的最高結(jié)溫溫度(Tvjop)等優(yōu)點(diǎn)。

供貨情況

英飛凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩種型號(hào)，現(xiàn)已開(kāi)始供貨。