美國倡導(dǎo)的“芯片四方聯(lián)盟”剛提出半個(gè)月，即已實(shí)際破滅？

4月2日消息，據(jù)韓國媒體《韓國商業(yè)》報(bào)道，近日，三星電子位于中國西安的第二座NAND Flash閃存工廠已完成擴(kuò)建，并開始全面生產(chǎn)。這實(shí)際上也意味著美國倡導(dǎo)的“芯片四方聯(lián)盟”剛提出半個(gè)月，即已實(shí)際破滅。

根據(jù)3月下旬韓國經(jīng)濟(jì)媒體《首爾經(jīng)濟(jì)》的報(bào)道稱，美國近日向韓國及主要半導(dǎo)體企業(yè)提議組成“芯片四方聯(lián)盟”(Chip 4)，也向日本及中國臺(tái)灣發(fā)出了邀請(qǐng)，這個(gè)聯(lián)盟如果真的組建并真的發(fā)揮作用不給中國提供芯片，那對(duì)中國影響巨大，因?yàn)橹袊箨憙H2021年就貢獻(xiàn)了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)一半以上的銷售額，達(dá)到2991億美元，中國大陸是全球最大的電子產(chǎn)品制造地，但沒有芯片沒法生存。美國老是做這種損人利已的夢(mèng)想，問題是只有美國受益，別的國家卻跟著倒霉。據(jù)悉，韓國就根本無法接受美國的建議。報(bào)道稱，三星西安NAND Flash閃存第二工廠自3月初以來一直在滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，每月可生產(chǎn)13萬片12英寸的晶圓，比第一工廠每月12萬片要高出1萬片。

這也使得三星在西安生產(chǎn)的NAND Flash閃存的產(chǎn)量達(dá)到了25萬片/月，在目前三星全球NAND Flash總產(chǎn)量當(dāng)中的占比達(dá)到了40%以上，同時(shí)在全球NAND Flash總產(chǎn)能當(dāng)中的占比也達(dá)到了10%。三星怎么可能會(huì)放棄百億美元的投資以及中國巨大的芯片市場(chǎng)呢?根據(jù)報(bào)道，三星西安NAND Flash閃存工廠是三星唯一的海外閃存工廠，預(yù)計(jì)總投資為70 億美元，但隨后在一期項(xiàng)目進(jìn)行擴(kuò)建后，使得整體投資金額達(dá)到了108.7 億美元。要是搬遷這個(gè)工廠，那百億美元就打了水漂，而且三星閃存產(chǎn)品的供應(yīng)也會(huì)斷了，將造成的損失遠(yuǎn)不止百億美元。

美國這種損人利己的做法同樣發(fā)生在烏克蘭。據(jù)俄羅斯衛(wèi)星通訊社4日?qǐng)?bào)道，美國迫使歐洲制裁俄羅斯，而自己卻不僅還在繼續(xù)從俄羅斯進(jìn)口石油，且過去一周的進(jìn)口規(guī)模還大漲43%，達(dá)到每日10萬桶!此外，美方還批準(zhǔn)本國公司從俄羅斯進(jìn)口礦物肥料，稱這是生活必需品。但美國并未允許歐洲人也這么做。這導(dǎo)致國家石油和天然氣保障，歐洲國家被迫支付高價(jià)格。

Digitimes 報(bào)道稱，三星電子 (Samsung Electronics) 唯一海外存儲(chǔ)器生產(chǎn)廠，中國西安 NAND Flash 廠區(qū)第二工廠日前已完成擴(kuò)建并投產(chǎn)。據(jù)悉，該廠是三星在韓國本土之外，唯一的存儲(chǔ)芯片廠。通過此次擴(kuò)建，三星電子的 NAND 閃存生產(chǎn)能力將占世界市場(chǎng)的 10% 以上。

陜西日?qǐng)?bào)消息指出，西安三星半導(dǎo)體一期項(xiàng)目于 2012 年 9 月開工建設(shè)，2014 年 5 月建成投產(chǎn)，投資總額由建廠時(shí)計(jì)劃的 70 億美元增加到實(shí)際完成投資 108.7 億美元，其中閃存芯片項(xiàng)目投資 100 億美元，封裝測(cè)試項(xiàng)目投資 8.7 億美元。

曾報(bào)道，2017 年 8 月 30 日，西安三星半導(dǎo)體投資 70 億美元在西安高新區(qū)建設(shè) 12 英寸閃存芯片二期項(xiàng)目，新建一條閃存生產(chǎn)線。2019 年 12 月，該公司決定再投資 80 億美元，擬對(duì)二期項(xiàng)目進(jìn)行擴(kuò)建，實(shí)現(xiàn)增產(chǎn)及產(chǎn)品迭代。

據(jù)悉，三星電子、SK 海力士等韓國半導(dǎo)體大廠都在中國設(shè)廠，且生產(chǎn)量市占整個(gè)半導(dǎo)體工廠的一半。三星電子在中國西安建立生產(chǎn) NAND Flash 存儲(chǔ)芯片月產(chǎn)可以達(dá)到 26.5 萬片 12 吋晶圓。而 SK 海力士也在考慮將重要的生產(chǎn)線遷移至中國當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。

2012年9月，西安三星半導(dǎo)體一期項(xiàng)目開工建設(shè)，2014年5月建成投產(chǎn)。投資總額由建廠時(shí)計(jì)劃的70億美元增加到實(shí)際完成投資108.7億美元，其中閃存芯片項(xiàng)目投資100億美元，封裝測(cè)試項(xiàng)目投資8.7億美元。

2017年8月30日，西安三星半導(dǎo)體投資70億美元在西安高新區(qū)建設(shè)12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目，新建一條閃存生產(chǎn)線。2019年12月，該公司決定再投資80億美元，擬對(duì)二期項(xiàng)目進(jìn)行擴(kuò)建，實(shí)現(xiàn)增產(chǎn)及產(chǎn)品迭代。

據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，通過此次擴(kuò)建，三星電子的NAND閃存生產(chǎn)能力，極有可能占世界市場(chǎng)的10%以上。

美國參議院再次通過了一項(xiàng)向半導(dǎo)體芯片制造提供520億美元補(bǔ)貼的初步法案。之后，參眾兩院有望開啟談判，法案的最終協(xié)議可能在今年夏季達(dá)成。

自新冠疫情爆發(fā)以來的兩年內(nèi)，美國經(jīng)歷了嚴(yán)重的半導(dǎo)體短缺，拜登政府希望以此擴(kuò)大美國國內(nèi)的芯片制造產(chǎn)能。不過，這引申出了一個(gè)問題：芯片補(bǔ)貼法案是否有必要納入非美國公司。

臺(tái)積電(104.79, 2.00, 1.95%)和三星電子(208.25, 0.00, 0.00%)已明示美國政府，希望外國半導(dǎo)體公司在美國設(shè)廠時(shí)，能被納入到520億美元補(bǔ)貼范圍之中。但英特爾(49.2, 1.09, 2.27%)公司多次表示，美國納稅人的錢應(yīng)該只流向國內(nèi)公司。但事實(shí)上，英特爾最頂級(jí)的技術(shù)比臺(tái)積電和三星至少落后了一代。

臺(tái)積電表示：“基于公司總部所在地的任何偏袒和優(yōu)待，并不利于對(duì)補(bǔ)貼法案的有效或高效使用，同時(shí)也忽視了大多數(shù)領(lǐng)先半導(dǎo)體公司的公共所有權(quán)?！?

臺(tái)積電還補(bǔ)充說，美國不應(yīng)該試圖復(fù)制現(xiàn)有的供應(yīng)鏈，而應(yīng)專注于開發(fā)先進(jìn)技術(shù)來提高競(jìng)爭(zhēng)力。此外，臺(tái)積電還呼吁美國改革移民政策，吸引外國人才幫助推動(dòng)創(chuàng)新。

三星電子公司也對(duì)臺(tái)積電的意見表達(dá)了贊同態(tài)度。三星稱，美國政府應(yīng)確保所有符合條件的公司，無論其來自哪里，都能“在一個(gè)平等的環(huán)境中”競(jìng)爭(zhēng)美國的資金。

目前臺(tái)積電正在美國亞利桑那州新建一座價(jià)值120億美元的工廠，目標(biāo)是在2024年生產(chǎn)5納米芯片，而三星正在得克薩斯州建造一座價(jià)值170億美元的工廠，也計(jì)劃在同一年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

與此同時(shí)，英特爾已宣布在俄亥俄州建立一個(gè)價(jià)值200億美元的新芯片中心，并在亞利桑那州建造兩個(gè)新工廠，以提高公司在美國國內(nèi)的產(chǎn)能。